通態(on-state)是1998年公布的電氣工程名詞。
基本介紹
- 中文名:通態
- 外文名:on-state
- 所屬學科:電氣工程
- 公布時間:1998年
通態(on-state)是1998年公布的電氣工程名詞。
通態特性 通態特性是一物理學名詞。英文詞條名:on-state characteristic 表示通態主電壓(峰值)與主電流(峰值)的函式關係曲線。
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常州市雄華通態自動化設備有限公司於2012年02月23日成立。法定代表人孫華強,公司經營範圍包括:電工儀器儀表(除計量器具)、工業自動控制系統裝置的製造;電子計算機及配件、電子元器件、五金、交電、橡塑製品、辦公用品、金屬材料、工藝美術...
MCGSTPC MCGSTPC是北京崑崙通態自動化軟體科技有限公司自主生產的嵌入式一體化觸控螢幕系列型號。規格 包含一下幾款產品,產品尺寸包括7寸,10寸,12寸,15寸幾種規格。TPC7062TX TPC7062Ti TPC1062Ti TPC1162Hi TPC1262Hi TPC1561Hi ...
TLP361J TLP361J是一款東芝旗下的電子產品,通態電流有效值是100毫安,輸出類型是ZC。產品概要 產品規格 絕對最大額定值 電氣特性
最大通態電壓降(單位:V):在規定的環境溫度下,輸出端滿負載電流跨於輸出端兩端所呈現的最大(峰值)電壓降。--- 瞬態過壓(單位:PIV):固態繼電器在維持其關斷狀態的同時,能夠承受而不致造成損壞或失誤的允許施加電壓的最大偏離。
半導體負阻發光器件是用發光材料製造的具有正向電壓負阻型的結髮光二極體,其正向υ-I特性呈S形(圖1)。當正向電壓達到導通電壓υS時,二極體由高壓關態(高阻態)經過負阻過程達到低壓通態(低阻態)。簡介 其正向υ-I特性呈S形(...
晶閘管的主要性能指標 晶閘管的主要性能指標,正、反向重複峰值電壓、,通態平均電流,維持電流,擎住電流。1、正、反向重複峰值電壓 、。2、通態平均電流 。3、維持電流 。4、擎住電流
前已述及,普通晶閘管(SCR)靠門極正信號觸發之後,撤掉信號亦能維持通態。欲使之關斷,必須切斷電源,使正向電流低於維持電流IH,或施以反向電壓強近關斷。這就需要增加換向電路,不僅使設備的體積重量增大,而且會降低效率,產生波形...
《新結構超高速雙極功率開關電晶體研究》是依託北京工業大學,由亢寶位擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 通過研究得到了一種高頻功率損耗小、製造成本低的新結構高頻電力電子器件。它是以製造成本低和通態壓降小的常規雙極電晶體結構為...
MCGS是北京崑崙通態自動化軟體科技有限公司研發的一套基於Windows平台的,用於快速構造和生成上位機監控系統的組態軟體系統,主要完成現場數據的採集與監測、前端數據的處理與控制,可運行於Microsoft Windows 95/98/Me/NT/2000/xp等作業系統...
1、通態特性:大注入下基區和集電區發生調製效應,通態壓降很低 2、開關特性:關斷過程中的電流集中現象:由於基區存在自偏壓效應,在電晶體關斷過程中使發射極邊緣部分反偏,邊緣關斷而中心仍導通,於是出現電流集中現象 3、二次擊穿...
當V處於通態時,E—L1—V迴路和C1—V—L2迴路同時導電,L1和L2貯能。V處於斷態時,E—L1—C1—VD—負載(C2和R)迴路及L2—VD—負載迴路同時導電,此階段E和L1既向負載供電,同時也向C1充電,C1貯存的能量在V處於通態時向L2...
它有通態電阻小、通態壓降低、開關速度快、損耗小以及開通的電流增益大等優點。但製造工藝較複雜,電流關斷增益輕小,因此有待於再開發。靜電感應晶閘管SITH(Static Induction Thyristor)誕生於1972年,是在SIT的漏極層上附加一層與漏...
一、IGBT的工作原理 電力MOSFET器件是單極型(N溝道MOSFET中僅電子導電、P溝道MOSFET中僅空穴導電)、電壓控制型開關器件;因此其通、斷驅動控制功率很小,開關速度快;但通態降壓大,難於製成高壓大電流開關器件。電力三極電晶體是雙極...
電力電子器件的損耗可分為4種:①通態損耗。由導通狀態下流過的電流和器件上的電壓降產生的功率損耗。②阻斷態損耗。由阻斷狀態下器件承受的電壓和流過器件的漏電流產生的功率損耗。③開關損耗。由器件開通和關斷期間產生的功率損耗。④...