《新結構超高速雙極功率開關電晶體研究》是依託北京工業大學，由亢寶位擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：新結構超高速雙極功率開關電晶體研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：亢寶位
- 依託單位：北京工業大學
- 批准號批准號：69576001
- 申請代碼：F0404
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：1996-01-01 至 1998-12-31
- 支持經費：11（萬元）
項目摘要
通過研究得到了一種高頻功率損耗小、製造成本低的新結構高頻電力電子器件。它是以製造成本低和通態壓降小的常規雙極電晶體結構為基礎，將發射區改為中心輕摻雜發射區結構，同時，將基區改為柵助電晶體的基區結構，大大提高了開關速度。這種新結構超高速電力電子器件被稱為中心輕摻雜發射區柵助電晶體（CLDE-GAT）。以耐壓500V的器件為例，它所達到的典型參數值為：存儲時間ts=300ns,下降時間tf=45ns，通態壓降VCEsat=0.5V。它比常規雙極管、GAT、IGBT的速度快得多，比VD-MOSFET、IGBT的通態壓降小和製造成本低。本研究的創新點是中心輕摻雜發射區結構以及一種無損測量功率開關管集電區過剩載流子壽命的原理和方法。本研究申請了專利一項，寫出論文三篇。
