專利背景
高級超維場開關(Advanced-Super Dimensiona lSwitching,簡稱ADS)模式是平面電場寬視角核心技術,具體為通過同一平面內狹縫電極邊緣所產生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產生的電場形成多維電場,使液晶盒內狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產生旋轉,從而提高了液晶工作效率。
2013年6月之前技術套用ADS模式的液晶顯示面板的陣列基板中,每個子像素對應一個透明電極,如圖1所示,該透明電極1包括相鄰的第一疇顯示區域11和第二疇顯示區域12,在第一疇顯示區域11和第二疇顯示區域12中設定有鏤空結構,使該透明電極1在第一疇顯示區域11和第二疇顯示區域12分別具有不同方向的狹縫2,即形成上述的狹縫電極。然而,2013年6月之前技術中套用ADS模式的液晶顯示面板由於透明電極中相鄰的兩個籌區間的電極為一整塊結構,從而導致該處的液晶排列不規則,使得2013年6月之前技術中顯示面板的透過率較低。
發明內容
專利目的
該發明提供一種透明電極、陣列基板和液晶顯示裝置,提高了液晶顯示面板的透過率。
技術方案
《透明電極、陣列基板和液晶顯示裝置》採用如下技術方案:
一方面,提供了一種透明電極,包括相鄰的第一疇顯示區域和第二疇顯示區域,所述透明電極在所述第一疇顯示區域和第二疇顯示區域中設定有鏤空結構,使所述透明電極在所述第一疇顯示區域和第二疇顯示區域中分別具有不同方向的狹縫,
所述透明電極在所述第一疇顯示區域和第二疇顯示區域的交界處設定有鏤空結構,所述交界處的鏤空結構與所述第一疇顯示區域和第二疇顯示區域中的鏤空結構相結合形成不同方向的狹縫。
具體地,所述透明電極為像素電極或公共電極。
進一步地,在所述透明電極的寬度方向上,所述透明電極任意一側的邊緣與同一側的狹縫邊緣之間的距離小於4.1微米。
優選地,在所述透明電極的寬度方向上,所述透明電極任意一側的邊緣與同一側的狹縫邊緣之間的距離等於3.5微米。
優選地,所述透明電極為氧化銦錫。
另一方面,提供了一種陣列基板,包括像素電極和公共電極,所述像素電極或公共電極包括多個上述的透明電極,每個所述透明電極對應一個子像素。
另一方面,提供一種液晶顯示裝置,包括上述的陣列基板。
改善效果
《透明電極、陣列基板和液晶顯示裝置》將相鄰的兩疇顯示區域交界處的透明電極設定為鏤空結構並與兩疇顯示區域中的鏤空結構相結合形成不同方向的狹縫,使相鄰的兩疇顯示區域中不同方向的狹縫更緊密的結合,使不規則排列的液晶區域面積縮小,從而提高了液晶顯示面板的透過率。
附圖說明
圖1為2013年6月之前技術中一種透明電極的結構示意圖;
圖2為該發明實施例中一種透明電極的結構示意圖;
圖3為圖2中A處的局部放大示意圖。

權利要求
1.一種透明電極,包括相鄰的第一疇顯示區域和第二疇顯示區域,所述透明電極在所述第一疇顯示區域和第二疇顯示區域中設定有鏤空結構,使所述透明電極在所述第一疇顯示區域和第二疇顯示區域中分別具有不同方向的狹縫,其特徵在於,所述透明電極在所述第一疇顯示區域和第二疇顯示區域的交界處設定有鏤空結構,所述交界處的鏤空結構與所述第一疇顯示區域和第二疇顯示區域中的鏤空結構相結合形成不同方向的狹縫;其中,所述相結合形成的不同方向的狹縫,包括所述交界處分別位於第一疇顯示區域和第二疇顯示區域兩個顯示區域中的方向不同的狹縫,還包括所述交界處與第一疇顯示區域或第二疇顯示區域中狹縫方向相同的狹縫。
2.根據權利要求1所述的透明電極,其特徵在於,所述透明電極為像素電極或公共電極。
3.根據權利要求1所述的透明電極,其特徵在於,在所述透明電極的寬度方向上,所述透明電極任意一側的邊緣與同一側的狹縫邊緣之間的距離小於4.1微米。
4.根據權利要求3所述的透明電極,其特徵在於,在所述透明電極的寬度方向上,所述透明電極任意一側的邊緣與同一側的狹縫邊緣之間的距離等於3.5微米。
5.根據權利要求1所述的透明電極,其特徵在於,所述透明電極為氧化銦錫。
6.一種陣列基板,包括像素電極和公共電極,其特徵在於,所述像素電極或公共電極包括多個如權利要求1至5中任意一項所述的透明電極,每個所述透明電極對應一個子像素。
7.一種液晶顯示裝置,其特徵在於,包括如權利要求6所述的陣列基板。
實施方式
如圖2所示,《透明電極、陣列基板和液晶顯示裝置》實施例提供了一種透明電極1,包括相鄰的第一疇顯示區域11和第二疇顯示區域12,該透明電極在第一疇顯示區域11和第二疇顯示區域12中設定有鏤空結構,使該透明電極在第一疇顯示區域11和第二疇顯示區域12中分別具有不同方向的狹縫2,該透明電極1在第一疇顯示區域11和第二疇顯示區域12的交界處設定有鏤空結構,上述交界處的鏤空結構與第一疇顯示區域11和第二疇顯示區域12中的鏤空結構相結合形成不同方向的狹縫,圖2中的空白區域為鏤空結構。
上述透明電極具體可以由氧化銦錫(Indium Tin Oxides,ITO)等透明導電材料製成。
如圖1所示,2013年6月之前技術中相鄰的兩疇顯示區域交界處為一塊完整的透明電極,因此該處的液晶呈不規則排列。該實施例中的透明電極,將相鄰的兩疇顯示區域交界處的透明電極設定為鏤空結構並與兩疇顯示區域中的鏤空結構相結合形成不同方向的狹縫,使相鄰的兩疇顯示區域中不同方向的狹縫更緊密的結合,使不規則排列的液晶區域面積縮小,從而提高了液晶顯示面板的透過率。
具體地,上述透明電極可以為像素電極或公共電極。
如圖3所示,進一步地,在該透明電極1的寬度方向上,透明電極1任意一側的邊緣與同一側的狹縫2邊緣之間的距離L小於4.1微米,由於工藝限制,L通常大於2.9微米。
優選地,在該透明電極1的寬度方向上,透明電極1任意一側的邊緣與同一側的狹縫2邊緣之間的距離L等於3.5微米。
通過測試,該實施例中的透明電極在保持原有顯示特性的前提下,透過率提升3%~5%。
需要說明的是,圖2中只示意了每個透明電極包括兩疇顯示區域的結構示意,實際也可能包括更多疇顯示區域,同樣可以套用該發明實施例中的透明電極,只要相鄰的兩疇顯示區域交界處設定為鏤空結構即可。
該實施例中的透明電極,將相鄰的兩疇顯示區域交界處的透明電極設定為鏤空結構並與兩疇顯示區域中的鏤空結構相結合形成不同方向的狹縫,使相鄰的兩疇顯示區域中不同方向的狹縫更緊密的結合,使不規則排列的液晶區域縮小,從而提高了液晶顯示面板的透過率。另外,通過將透明電極邊緣寬度變窄,減少了子像素與子像素之間不規則排列的液晶區域面積,從而進一步提高了液晶顯示面板的透過率。
該發明實施例還提供一種陣列基板,包括像素電極和公共電極,該像素電極或公共電極包括多個上述的透明電極,每個透明電極對應一個子像素。當像素電極為包括多個上述的透明電極以形成狹縫電極時,則公共電極為板狀電極;當公共電極包括多個上述的透明電極以形成狹縫電極時,則像素電極為板狀電極。
需要說明的是,該透明電極的具體結構和原理與上述實施例相同。該陣列基板適用於各種套用狹縫電極的顯示裝置中,例如採用ADS模式的液晶顯示面板,針對不同套用,ADS技術的改進技術有高透過率I-ADS技術、高開口率H-ADS和高解析度S-ADS技術等。
該實施例中的陣列基板,將相鄰的兩疇顯示區域交界處的透明電極設定為鏤空結構並與兩疇顯示區域中的鏤空結構相結合形成不同方向的狹縫,使相鄰的兩疇顯示區域中不同方向的狹縫更緊密的結合,使不規則排列的液晶區域面積縮小,從而提高了液晶顯示面板的透過率。
該發明實施例還提供一種液晶顯示裝置,包括上述的陣列基板。
該陣列基板的具體結構和原理與上述實施例相同。該液晶顯示裝置具體可以為:
液晶面板、手機、平板電腦、電視機、顯示器、
筆記本電腦、
數碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產品或部件。
該實施例中的液晶顯示裝置,將相鄰的兩疇顯示區域交界處的透明電極設定為鏤空結構並與兩疇顯示區域中的鏤空結構相結合形成不同方向的狹縫,使相鄰的兩疇顯示區域中不同方向的狹縫更緊密的結合,使不規則排列的液晶區域面積縮小,從而提高了液晶顯示面板的透過率。
榮譽表彰
2019年9月,《透明電極、陣列基板和液晶顯示裝置》獲得2019年度福建省專利獎三等獎。