輸入特性是指在電晶體輸出端電壓為常數時，輸入端電壓與電流函式關係所反映出來的特性。
基本介紹
- 中文名：輸入特性
- 外文名：Input Characteristics
- 學科領域：模擬電子技術
特性
電晶體共射接法的輸入特性曲線可表示為
對於一條特定的輸入特性曲線，U(CE)為常數；對應不同的U(CE)，輸入特性不同，故輸入特性曲線是隨U(CE)變化的曲線族。
U(CE)=0V情況
此時，電晶體集電極和發射極短接，電晶體相當於並聯且正向偏置的兩個二極體，其輸入特性曲線與二極體伏安特性曲線一致。
U(CE)≥1V情況
對正嚮導通的矽管，死區電壓U(BE(on))≈0.7V，當U(CE)=1V時，U(CB)=U(CE)-U(BE)=0.3V。集電結由正向偏置轉化為反向偏置，它對由發射區經過基區到達集電結靠近基區一側電子的吸引能力增強，電子在基區中的複合減少，本就極薄的基區寬度進一步減小，即產生基區寬度調製效應，故此時I(B)較U(CE)=0時減小，輸入特性曲線右移。隨著U(CE)進一步增大，I(B)進一步減小，輸入特性曲線進一步右移，但變化已不顯著，因此工程實用上常以U(CE)=1V時的輸入特性曲線代替U(CE)＞1V時的輸入特性曲線。
