跨導

定義

跨導通常用g_m表示。對於直流電，跨導可以定義為：

對於交流電小信號模型，跨導的定義相對更為簡單：

在SI單位中，西門子公司，用符號，S；1西門子=1安培每伏更換舊的電導率，具有相同的定義，mho（歐姆拼寫向後），符號，℧。

跨阻（轉移電阻），也常常被稱為互阻，是跨導的雙重性。它是指兩個輸出點電壓變化與兩個輸入點電流變化的比值，記為r_m：

跨阻國際單位就是歐姆，就像阻力一樣。

跨阻（或轉移阻抗）是互阻的交流等效，是互導的二元。

對於真空管，跨導被定義為板（陽極）/陰極電流的變化除以電網/陰極電壓的相應變化，恆定板（陽極）/陰極電壓。g_m典型值為小信號真空管是1至10毫西門子。它是真空管的三個特徵常數之一，另外兩個是增益μ（mu）和平板電阻r_p或r_a。在范德Bijl公式定義它們之間的關係如下：

類似地，在場效應電晶體和MOSFET中，跨導是漏極電流的改變除以柵極/源極電壓的小改變以及恆定的漏極/源極電壓。g_m的典型值為小信號場效應電晶體是1至30毫西門子。

使用Shichman-Hodges模型，MOSFET的跨導可以表示為：

其中I_D是在直流漏電流偏置點，和V_OV是過驅動電壓，這是偏置點柵極-源極電壓和之間的差的閾值電壓（即，V_OV≡V_GS-V_th）。的過驅動電壓（有時也被稱為有效電壓）在約70-200毫伏習慣上選擇用於65納米技術節點（I_D≈1.13mA/μm），用於g_m的11-32mS/μm。

另外，結FET的跨導由下式給出，其中V_P是夾斷電壓，I_DSS是最大漏極電流。

傳統上，上式中給出的FET和MOSFET的跨導是使用微積分從每個器件的傳輸方程導出的。然而，卡特賴特已經證明，這可以在沒有微積分的情況下完成。

所述g_m的雙極小信號電晶體差別很大，成比例的集電極電流。典型的範圍是1到400毫西門子。在基極/發射極之間施加輸入電壓變化，輸出是在具有恆定的集電極/發射極電壓的集電極/發射極之間流動的集電極電流的變化。

雙極電晶體的跨導可以表示為

其中I_C=在Q點的DC集電極電流，V_T=熱電壓，在室溫下通常約為26mV。10毫安，典型電流g_m≈385毫秒。

輸出（集電極）電導由Early電壓決定，與集電極電流成正比。對於線性操作的大多數電晶體，它遠低於100μS。

跨導放大器（g_m放大器）推出的電流正比於它的輸入電壓。在網路分析中，跨導放大器被定義為電壓控制電流源（VCCS）。看到這些放大器安裝在共源共柵配置，這是常見的，這提高了頻率回響。

跨阻放大器輸出正比於它的輸入電流的電壓。跨阻放大器通常被稱為跨阻放大器，特別是半導體製造商。