趙妙，副研究員，研究領域 是微波器件與電路可靠性
基本介紹
基本信息,簡歷,教育背景,工作簡歷,研究方向,獲獎及榮譽,代表論著,科研項目,專利申請,
基本信息
姓 名: 趙妙
通訊地址: 北京市朝陽區北土城西路3號
所屬部門：
微波器件與積體電路研究室（四室）
簡歷
教育背景
時間 畢業院校 學位 專業
1997.9-2001.6 河北師範大學 本科 物理
2004.9-2007.6 中國科學院半導體研究所 博士 固體電子與微電子
工作簡歷
2007.7至今
中科院微電子研究所 微波器件與積體電路研究室 目前任職副研究員
研究方向
研究領域 微波器件與電路可靠性
獲獎及榮譽
Zhaomiao，Liu Xinyu，IEEE 16th International symposium on the Physical&Failure analysis of Integrated Circuited (IPFA 2009) Photo
代表論著
1、Miao Zhao, Liu Xinyu, etal., Thermal storage of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors，IEEE transaction on device and material reliability,
2、Miao Zhao, M.Q.Tan, etal., The effect of proton radiation on a superluminescent diode (SLD)，Nuclear Inst. And Methods in Physics Research
3、趙妙，劉新宇，等，GaN帽層對AlGaN/GaN HEMT 肖特基特性的研究，第十五屆全國化合物半導體、微波器件和光電器件學術會議
4、趙妙，譚滿清，等，雙源電子束蒸發提高光學薄膜緻密性的工藝研究，光電子·雷射，18（2007）40-42
5、趙妙，譚滿清，質子輻照對超輻射發光二極體性能的影響，半導體學報
6、Wang Xin-Hua，Zhao Miao，Liu Xin-Yu，The physical process analysis of capacitance-voltage characteristics for AlGaN-AlN-GaN HEMTs, Chinese physics
7、Wang Xinhua, Zhao Miao, Liu Xinyu, etal. A revised approach to schottky parameters extraction for GaN HEMT after elevated temperature aging，Journal of semiconductors
8、Zhaomiao，Liu xinyu，Zheng Yingkui，etal，IEEE 19th International symposium on the Physical&Failure analysis of Integrated Circuited (IPFA 2012)
科研項目
1、AlGaN/GaN HEMT 低頻噪聲與器件可靠性相關性的研究，國家自然基金 青年科學基金項目
2、AlGaN/GaN HEMT飛秒超快特性的研究，國家自然基金 面上項目
3、X波段寬禁帶半導體功率器件和材料研究，中國科學院知識創新工程重要方向性項目，2007．主要成員
4、GaN基毫米波功率器件與材料基礎與關鍵技術研究，國家自然基金 重大項目
成員
5、新一代化合物半導體電子器件與電路研究子課題“AlGaN/GaN微波功率器件” 973成員
專利申請
1、趙妙，等，一種提高肖特基勢壘高度的方法
2、趙妙，等，已減薄或劃片的氮化鎵場效應管的退火處理方法
3、趙妙，等，一種測量AlGaN/GaN HEMT器件凹柵槽深度的方法
4、趙妙，劉新宇，等，一種檢測GaN器件肖特基漏電模式的方法
5、趙妙，等，一種通過肖特基測試圖形監測GaN基HEMT可靠性的方法
6、趙妙，劉新宇，等，一種GaN基HEMT器件的可靠性評估方法
7、趙妙，等，確定場效應管老化條件的方法、場效應管老化方法及場效應管篩選方法
8、趙妙，等，對GaN基器件的直流穩態功率老化進行預篩選的方法
9、趙妙，等，一種測量GaN基器件熱可靠性的方法
10、趙妙，等，確定AlGaN/GaN基異質結溝道載流子壽命的方法
11、趙妙，等，一種評價半導體器件肖特基電流輸運方式的方法
12、趙妙，等，雙溝道電晶體及其製備方法
