《超深亞微米積體電路銅互連可靠性研究》是依託西安電子科技大學，由馬佩軍擔任項目負責人的青年科學基金項目。
《超深亞微米積體電路銅互連可靠性研究》是依託西安電子科技大學，由馬佩軍擔任項目負責人的青年科學基金項目。中文摘要深亞微米積體電路技術的發展，帶來了晶片內部的高互連密度、高工作頻率和高電流密度，與此對應，銅互連布線系統的可...
《深亞微米積體電路銅互連線的宏、微觀織構研究》是依託北京科技大學，由陳冷擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 隨著積體電路技術的迅速發展，互連線寬度開始進入到深亞微米級時代。銅取代鋁作為超大規模積體電路互連線材料具有良好的導電性、導熱性和抗電遷移能力。積體電路互連線電遷移現象會造成積體電路晶片失效，電...
深亞微米積體電路，通常把0.35-0.8μm及其以下稱為亞微米級，0.25um及其以下稱為深亞微米，0.05um及其以下稱為納米級。深亞微米積體電路：深亞微米製造的關鍵技術主要包括紫外光刻技術、電漿刻蝕技術、離子注入技術、銅互連技術（不是同互連）等。國際上積體電路的主流生產工藝技術為0.010μm-0.028μm。
實驗室根據國家戰略目標和國際積體電路SoC技術的發展趨勢，針對超深亞微米、納米、超高速、超低功耗、數模混合積體電路的設計理論、方法和技術的前沿問題，將研究方向凝練為：積體電路系統級晶片（SoC）設計、積體電路計算機輔助設計、超深亞微米/納米器件與製造、微電子機械系統。實驗室始終瞄準國際積體電路發展前沿，面向...
實驗室根據國家戰略目標和國際積體電路SOC技術的發展趨勢，針對超深亞微米、納米、超高速、超低功耗、數模混合積體電路的設計理論、方法和技術的前沿問題，將研究方向凝練為：積體電路系統級晶片（SoC）設計、積體電路計算機輔助設計、超深亞微米/納米器件與製造、微電子機械系統。實驗室始終瞄準國際積體電路發展前沿，面向...
復旦大學青年科學基金：電漿浸沒注入對積體電路銅互連阻擋層的改性研究（項目負責人）復旦大學新進教師啟動基金：等離子浸沒注入技術的研究 （項目負責人）二、 代表性論文：[1]. Xie Zeng, Haifeng Hu, Yongkang Gao, Dengxin Ji, Nan Zhang, Haomin Song, Kai Liu, Suhua Jiang, Qiaoqiang Gan, Phase ...
《超深亞微米積體電路銅互連可靠性研究》是依託西安電子科技大學，由馬佩軍擔任項目負責人的青年科學基金項目。中文摘要 深亞微米積體電路技術的發展，帶來了晶片內部的高互連密度、高工作頻率和高電流密度，與此對應，銅互連布線系統的可靠性逐漸成為深亞微米晶片可靠性的關鍵問題之一。本項目旨在結合實驗樣品的設計、測量...
近年來作為項目負責人完成和正在進行的研究項目：2009~2011年，國家自然科學基金項目：“深亞微米級積體電路銅互連線的織構研究”。獲得榮譽 2012年北京市教育教學成果獎二等獎 2009年北京市教育教學成果獎一等獎 2008年北京科技大學第23屆教育教學成果獎一等獎 2006年北京科技大學第7屆“我愛我師—我心目中最優秀的...
2024年1月，任浙江大學積體電路 學院院長。主要成就 科研成就 科研綜述 吳漢明研發高密度電漿刻蝕，研究理論和實驗結果表明其電漿密度達到深亞微米刻蝕的要求，研究結果申報了國家發明專利，發表在國際專業期刊雜誌上並得到廣泛引用。研發了世界上第一套可以進行電漿工藝模擬的商業軟體並得到廣泛使用。2001年進入...
銅與鋁相比較，銅具有更高的抗電遷移能力及更低的電阻率，能夠滿足！導體工藝在0.25um以下的亞微米布線的需要但卻帶米了其他的問題：銅與有機介質材料的附著強度低．並且容易發生反應，導致在使用過程中晶片的銅互連線被腐蝕而斷路。為了解決以上這些問題，需要在銅與介質層之間設定阻擋層。阻擋層材料一般採用高...
