《超低飛高條件下硬碟磁頭的運行姿態建模與測量方法》是依託華中科技大學，由陳進才擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：超低飛高條件下硬碟磁頭的運行姿態建模與測量方法
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：陳進才
- 依託單位：華中科技大學
- 批准號：60773189
- 申請代碼：F0204
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2008-01-01 至 2010-12-31
- 支持經費：27（萬元）
項目摘要
硬(磁)盤存儲器是未來仍將長期採用的大容量快速信息存儲主導載體形式。與半導體存儲、光存儲等方式相比，磁碟存儲器具有更高的性價比，技術潛力巨大，存儲密度的提高已經超過摩爾定律的預言，呈年翻一翻的增長態勢。伴隨著磁頭飛高(即頭盤間距)突破5納米極限設計理論的提出，磁碟存儲密度由現在的100Gb/sq-in提高到1000Gb/sq-in(即1T位/平方英寸)成為可能。由於磁碟的道密度、位密度、磁頭飛高皆已進入納米尺度，在超低飛行狀態下磁頭與介質磁粒、微塵、盤面間處於微磁場/流場環境中分子級的複雜相互作用，從而產生了磁頭納米級精度的設計、製造、運行與測控問題。本項目旨在研究超低飛高條件下磁頭的運行姿態建模和測量方法，主要研究內容包括：磁頭飛行姿態參數確定、磁頭與介質磁粒及微塵間的分子級相互作用機理、磁頭的飛行姿態建模與納米精度測控方法。研究結果可為新型超高密度磁碟的磁頭設計與運行測控提供理論基礎。
