賀德衍,男,漢族,1962年12月生,陝西省武功縣人,中共黨員,博士,教授(二級)。
現任蘭州大學校長助理。
基本介紹
- 中文名:賀德衍
- 民族:漢族
- 出生日期:1962年12月
- 學位/學歷:博士
- 職務:蘭州大學校長助理
- 籍貫:陝西省武功縣
- 性別:男
- 政治面貌:中共黨員
- 工作單位:蘭州大學
- 主要榮譽:享受政府特殊津貼
入選教育部跨世紀優秀人才培養計畫
獲教育部高校青年教師獎、寶鋼優秀教師獎、甘肅省優秀專家稱號
賀德衍,男,漢族,1962年12月生,陝西省武功縣人,中共黨員,博士,教授(二級)。
現任蘭州大學校長助理。
賀德衍,男,漢族,1962年12月生,陝西省武功縣人,中共黨員,博士,教授(二級)。現任蘭州大學校長助理。人物履歷1982年畢業於蘭州大學物理系半導體物理專業,獲理學學士學位;1985年畢業於蘭州大學物理系固體物理專業,...
賀德衍,男,漢族,1962年12月生,陝西省武功縣人,中共黨員,博士,教授(二級)。現任蘭州大學校長助理。
《SiGe量子點薄膜的低溫自組織化生長》是依託蘭州大學,由賀德衍擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 本研究採用細胞遺傳和分子遺傳學技術對中華鱘群體遺傳和鱘形目魚類的進化遺傳展開了研究。用蛋白質電泳和隨機擴增多態性DNA技術分析了中華鱘核基因的遺傳變異特點。運用DNA測序技術測定了mtDNA基因組D-loop遺傳變異,並...
《矽基材料納米管的製備及其鋰離子電池性能研究》是依託蘭州大學,由賀德衍擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 在用具有高產率的電紡絲方法製備的高分子納米纖維表面,用電漿CVD技術包覆本徵的和摻雜的Si基材料,通過快速紅外光退火製備出具有多孔結構的Si基材料納米管。研究電漿CVD參數、退火工藝條件等對納米管...
《用大氣壓電漿CVD快速製備低溫晶化Si薄膜》是依託蘭州大學,由賀德衍擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 用非平衡的低溫電漿技術製備薄膜半導體材料需要實現高速化。本項目提出採用非平衡的大氣壓超高頻電漿CVD技術快速製備用於太陽電池的低溫晶化Si薄膜。主要研究內容包括:1、持續穩定的大氣壓超高頻電漿...
《低溫高密度電漿的形成及其在矽薄膜生長中的套用》是依託蘭州大學,由賀德衍擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 本項目擬研究在電感耦合射頻電漿系統中矽烷和氫氣的低壓低溫高密度電漿的形成,測量不同電漿條件下電子和離子的溫度、密度及其空間分布、能量分布函式,探討等胱猶宓男災視牘璞∧どに...
《半導體材料物理基礎》是2002年6月1日蘭州大學出版社出版的圖書,作者是Peter Y ·Yu、Manuel Cardona,譯者是賀德衍。內容簡介 《半導體材料物理基礎》由蘭州大學出版社出版。《半導體材料物理基礎》:中國加拿大高等教育項目資助材料學翻譯叢書。《半導體材料物理基礎》共分九章,內容包括:半導體的電子能帶結構、振動性質...
賀德衍,男,1962年12月16日生,蘭州大學物理科學與技術學院教授,博士生導師。1982年7月蘭州大學物理系固體物理專業畢業,獲理學學士學位;1985年7月獲蘭州大學物理系凝聚態物理專業理學碩士學位;1995年3月最後畢業於日本東京工業大學大學院綜合理工學研究科電子化學專業,獲博士學位。1995年4月至1996年3月在日本東京...
1.陳光華,蔡讓岐,宋雪梅,賀德衍,“多孔矽襯底微波CVD 金剛石薄膜的製備及其場電子發射”,半導體學報,第25卷第3期,2004.3 2.G.H. Chen, R.Q. Cai, X.M. Song, J.X. Deng, “ Preparation and field electron emission of microcrystalline diamond deposited on a porous silicon substrate ”, ...
《非晶半導體器件中的變帶隙夾層及異質界面特性分析》是依託蘭州大學,由賀德衍擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 在非晶體態半導體器件異質層之間引入變帶隙夾層可以有效地提高器件性能.本課題將研究變帶隙夾層及有關的異質界面上的能態分布.缺陷狀態,載流子複合機理,微觀鍵合狀態等物理問題,並進而探討其物理...