《低溫高密度電漿的形成及其在矽薄膜生長中的套用》是依託蘭州大學，由賀德衍擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：低溫高密度電漿的形成及其在矽薄膜生長中的套用
- 依託單位：蘭州大學
- 項目負責人：賀德衍
- 項目類別：面上項目
- 負責人職稱：教授
- 批准號：10175030
- 申請代碼：A2907
- 研究期限：2002-01-01 至 2004-12-31
- 支持經費：19（萬元）
項目摘要
本項目擬研究在電感耦合射頻電漿系統中矽烷和氫氣的低壓低溫高密度電漿的形成,測量不同電漿條件下電子和離子的溫度、密度及其空間分布、能量分布函式，探討等胱猶宓男災視牘璞∧どに俾省⒔峋е柿康墓叵怠Ｔ?350°C的溫度下以＞30A°/S的速率製備出純相多晶矽薄膜，為多晶矽薄膜在大面積器件中的套用提供有價值的材料參數。
