《用大氣壓電漿CVD快速製備低溫晶化Si薄膜》是依託蘭州大學，由賀德衍擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：用大氣壓電漿CVD快速製備低溫晶化Si薄膜
- 依託單位：蘭州大學
- 項目負責人：賀德衍
- 項目類別：面上項目
- 負責人職稱：教授
- 批准號：60776009
- 申請代碼：F0401
- 研究期限：2008-01-01 至 2010-12-31
- 支持經費：36（萬元）
項目摘要
用非平衡的低溫電漿技術製備薄膜半導體材料需要實現高速化。本項目提出採用非平衡的大氣壓超高頻電漿CVD技術快速製備用於太陽電池的低溫晶化Si薄膜。主要研究內容包括：1、持續穩定的大氣壓超高頻電漿的生成、診斷及其控制；2、圍繞提高薄膜生長速率的目標，實時監控電漿，對其中的活性粒子生成機理和反應機制進行深入探討；3、確立最佳反應條件，快速製備出具有優異光電特性的低溫晶化Si薄膜；4、低溫晶化Si薄膜的電學、光學特性表征及其在太陽電池中的套用探討。.大氣壓等離子技術正以其獨特的性質和低廉的成本而受到廣泛關注。系統研究用非平衡的大氣壓超高頻電漿CVD技術快速製備低溫晶化Si薄膜將會對相關領域的研究產生積極影響。
