谷長棟

谷長棟，男，1978年生於山東濟南，浙江大學材料科學與工程學系副教授。

基本介紹

• 中文名：谷長棟
• 國籍：中國
• 民族：漢
• 出生日期：1978年

工作、學習經歷

1996.9-2000.7 吉林大學、化學工程與工藝專業、本科學習

浙江大學副教授谷長棟

2000.7-2002.5 山東小鴨集團股份有限公司、從事納米材料套用開發工作

2002.9-2007.7 吉林大學、材料科學與工程學院、材料學專業、碩博連讀

2007.9-2009.8 香港科技大學博士後

2009.9-至今 浙江大學、材料科學與工程學系、從事教學科研工作（碩士生導師）

科研成果

在納米晶生長與變形機理研究等領域得出如下研究成果： 1、對電沉積鎳及鎳鈷合金納米晶體材料的力學性能研究表明：納米晶材料表現出較高的應變速率敏感性；理論推導出面心立方結構的金屬材料應變速率敏感指數與激活體積、晶粒尺寸之間的關係，揭示出晶粒尺寸的減小限制了位錯線長度，導致納米晶材料表現出較高的應變速率敏感性；電化學製備力學性能最佳化的層狀納米結構鎳，層間具有不同的晶粒尺寸。 2、使用硫酸鹽體系在鎂合金表面化學沉積鎳磷鍍層；將納米鎳鍍層套用於鎂合金表面，提高了鎂合金的表面強度及耐腐蝕性能。 3、研究表明電化學製備樹枝晶銀具有超疏水特性，其生長方式採用“Oriented Attachment”機理，闡述了粗糙度對於表面疏水穩定性的影響。 4、結合離子溶液體系與水性溶液體系的水熱合成方法，在銀納米線表面垂直生長了(0002)取向的氧化鋅晶體，即ZnO@Ag納米晶，並研究了其光催化降解有機污水性能。 共發表SCI論文24篇，其中第一作者文章15篇。SCI引用300次以上，其中他人引用200次以上。獲2006年寶鋼優秀學生獎，博士論文《電沉積納米結構鎳及鎳鈷合金的微觀結構和力學性能》獲2009年吉林省優秀博士論文。