《行波電場作用下半導體低維納米結構中的量子輸運》是依託四川大學，由高潔擔任項目負責人的重點項目。
基本介紹
- 中文名：行波電場作用下半導體低維納米結構中的量子輸運
- 項目類別：重點項目
- 項目負責人：高潔
- 依託單位：四川大學
- 批准號：60436010
- 申請代碼：F0401
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2005-01-01 至 2008-12-31
- 支持經費：200（萬元）
項目摘要
在0.3K或0.03K的低溫下，實驗研究準一維量子線納米結構中聲表面波對單個電子的搬運,尋求聲電電流量子化為ef、2ef…的物理條件（e為電子電荷，f為聲表面波頻率）。研究砷化鎵異質結二維電子氣及電子濃度、遷移率對電流量子化的影響，設計和研製表面聲波單電子輸運（SAW/SET）器件。設計並研製叉指換能器及其在千兆赫頻率的最佳傳輸特性。提出在0.3K和0.03K低溫和強磁場下測量SAW/SET器件特性的方法，設計並完成低溫、強磁場智慧型測量系統。研究量子點勢壘位形對電流量子化坪台的影響；模擬並計算二維電子氣中存在禁止作用時分裂門的電勢分布，通過外加磁場改善電流量子化坪台的斜率並研究其物理機制；濕法刻蝕較長的準一維量子線，研究抑制背隧穿的物理過程。從理論上研究非絕熱效應和電子-電子相互作用對聲電電流的影響。研究SAW/SET用於量子電流基準的可行性和量子計算的可能性。
