蘇樹兵

蘇樹兵:男,漢族,工學博士,副教授,1976年8月出生。2002年中國科學院新疆理化技術物理所(原新疆物理所)微電子學與固體電子學專業碩士研究生畢業,2006年獲中國科學院微電子研究所微電子學與固體電子學專業工學博士學位。現任職於寧波工程學院電子信息與工程學院電子科學與技術教研室。發表論文10餘篇。主要研究方向為:(1)微電子器件與工藝;(2)嵌入式系統;(3)電子材料與元器件。

基本介紹

  • 中文名:蘇樹兵
  • 國籍中國
  • 民族:漢
  • 出生日期:1976年
  • 畢業院校:中國科學院新疆理化技術物理所
  • 出生地:新疆
  • 職稱:副教授
研究領域,研究項目,主要作品,

研究領域

微電子器件與工藝,嵌入式系統,電子材料與元器件

研究項目

1、2009.1~2010.12:浙江省教育廳項目:NiZnCu鐵氧體預燒粉末的磁性能和結構研究

主要作品

論文
[1] Shubing Su, Xunchun Liu, Xinyu Liu, Jinyong Yu, Runmei Wang, Anhuai Xu and Ming Qi, “Performance of a Self-Aligned InP/GaInAs SHBT with a Novel T-Shaped Emitter”, Journal of Semiconductors, 2006, 27(3):434-437
[2] Shubing Su, Xinyu Liu, Anhuai Xu, Jinyong Yu, Ming Qi, Xunchun Liu and Runmei Wang, “Performance of an InP DHBT Grown by MBE”, Journal of Semiconductors, 2006,27(5):792-795
[3] Shubing Su, Anhuai Xu, Xinyu Liu, Ming Qi, Xunchun Liu and Runmei Wang, “A Novel InGaP/InGaAs/GaAs DHBT Grown by MBE Using Beryllium as p-Type Dopant”, Journal of Semiconductors, 2006,27(6):1064-1067
[4] 蘇樹兵劉訓春,於進勇,劉新宇,王潤梅,鄭英奎,魏珂,汪寧,“異質結雙極電晶體T型發射極金屬圖形製作方法的改進”,發明專利(專利號),2007.08.15

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