蘇州納維科技有限公司成立於2007年5月，公司以中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所為技術依託，專注於從事氮化鎵襯底晶片及相關設備的研發和產業化，提供各類氮化鎵材料，目前公司擁有核心技術專利近二十項，是中國首家氮化鎵襯底晶片供應商。
基本介紹
- 公司名稱：蘇州納維科技有限公司
- 總部地點：蘇州市
- 成立時間：2007年5月
- 公司性質：有限公司
公司簡介,公司願景,質量方針,
公司簡介
公司針對企業、高校和研究所的不同用戶，主要提供如下產品：一、15~50微米厚度的2英寸GaN厚膜襯底，位錯密度為10E7/cm2量級，分為n型摻雜、非摻雜和半絕緣三種類型；二、2英寸氮化鎵自支撐襯底，厚度0.25mm， Ga面位錯腐蝕坑密度為10E6/cm2量級，分為n型摻雜、非摻雜和半絕緣三種類型；三、小尺寸方形(邊長1~2cm)氮化鎵襯底，分為n型摻雜、非摻雜和半絕緣三種類型，單面或者雙面拋光；四、小尺寸非極性面氮化鎵襯底，a面或者m面；五、高結晶度氮化鎵粉體材料；六、圖形藍寶石襯底。蘇州納維將立足於材料生長技術和設備的持續創新，在氮化物半導體材料及套用領域成長為一家具有原創智慧財產權和核心競爭力的國際化高科技公司，為氮化物半導體產業的發展貢獻力量。
蘇州納維科技有限公司
公司願景
立足於材料生長技術和設備的持續創新，在氮化物半導體材料及套用領域成為一家具有原創智慧財產權和核心競爭力的國際化高科技公司。
質量方針
質量目標：確保出廠產品合格率100% |
服務質量：確保顧客滿意率100% |
質量方向：國內名牌，國際領先 |
