MOS（金屬-氧化物-半導體）場效應管，簡稱MOS管（或器件），其核心結構是由導體、絕緣體與構成管子襯底的摻雜半導體這三層材料疊在一起組成的。在電學上MOS管作為一種電壓控制的開關器件。描述NMOS器件在三個區域中性能的理想表達式即為薩氏方程。
基本介紹
- 中文名：薩氏方程
- 提出者：薩支唐
- 套用學科：物理
- 適用領域範圍：微電子
MOS電晶體的輸出電流－電壓特性的經典描述是薩氏方程。
忽略二次效應，對於NMOS管導通時的薩氏方程為：
VGS－Vth：MOS管的“過驅動電壓”
L：指溝道的有效長度
W/L稱為寬長比
Kn稱為NMOS管的導電因子，μn載流子遷移率。
Id的值取決於工藝參數：μn、Cox、器件尺寸W和L、VDS及VGS。
截止區：VGS≤Vth，ID=0；
線性區（三極體區）：VDS≤VGS－Vth，漏極電流即為薩氏方程。
