基本介紹
- 書名：薄膜電晶體陣列製造技術
- 頁數： 411頁
- 出版社：復旦大學出版社
- 裝幀：平裝
- 開本：16
圖書信息,內容簡介,目錄,
圖書信息
出版社:復旦大學出版社; 第1版 (2007年9月1日)
正文語種: 簡體中文
ISBN: 9787309056556
條形碼: 9787309056556
尺寸: 22.8 x 16.8 x 2 cm
重量: 499 g
內容簡介
《薄膜電晶體（TFT）陣列製造技術》主要介紹非晶矽（amorphous silicon， a-Si）TFT陣列大規模生產的製造技術。高質量的平板顯示器的核心是薄膜電晶體（thin film transistor， TFT）矩陣的特性和製造技術。全書共13章，從TFT元件的結構及特點，到TFT檢查與修復，包括TFT陣列製作清洗工藝、成膜工藝、光刻工藝、不良解析和檢查修復。《薄膜電晶體（TFT）陣列製造技術》從TFT陣列大規模製造的角度，第一次比較全面地介紹了TFT-LCD生產線的TFT陣列製造工藝技術、工藝參數、生產工藝技術管理、工藝材料規格、設備特性、品質控制、產品技術解析;以工藝原理、設備參數控制、材料特性要求、生產工藝檔案要求等大規模生產技術要素為核心，比較完整地介紹了現代化信息製造業的工藝流程與工藝管理。
目錄
引言
一、 平板顯示——人類智慧之窗
二、 薄膜電晶體的技術特點
第一章 TFT-LCD生產線建設
1.1 TFT-LCD項目準備工作
1.2 投資估算
1.3 廠房建設
1.4 淨化系統
1.5 信息管理系統
1.6 技術管理系統
1.7 TFT陣列製造的主要設備
1.8 TFT陣列製造的設計技術和研發
第二章 TFT元件的結構及特點
2.1 場效應電晶體的工作原理
2.2 非晶矽TFT的結構與特點
2.3 TFT陣列
2.3.1 TFT與像素、子像素和顯示格式
2.3.2 TFT與像素間距
2.2.3 TFT與亮度
2.3.4 TFT與對比度
2.3.5 TFT與開口率
2.3.6 TFT與回響速度
2.3.7 TFT與閃爍
2.3.8 TFT的寄生電容與交叉串擾
2.3.9 TFT陣列的等效電路
2.3.10 TFT-LCD顯示器TFT的主要參數
第三章 TFT工藝概述
3.1 陣列工藝的主要設備
3.2 陣列工藝的主要原材料
3.2.1 玻璃基板
3.2.2 靶材
3.2.3 特藥、特氣
3.3 7次光刻的簡要回顧
3.4 TFT 5次光刻的工藝技術
3.5 4次光刻技術
3.6 多晶矽和高遷移率TFT技術
3.6.1 多晶矽TFT技術
3.6.2 非矽基高遷移率TFT
3.7 矽基液晶顯示技術
3.8 TFT製造統計過程控制
第四章 TFT陣列製作清洗工藝
4.1 污染物來源及分類
4.2 洗淨原理及方法
4.2.1 濕式清洗
4.2.2 乾式清洗
4.3 洗淨材料
4.4 洗淨設備
4.5 清洗工藝條件的確定
4.5.1 紫外乾洗工藝條件的確定
4.5.2 洗淨能力評價
4.5.3 乾燥處理
4.5.4 單元條件設定和點檢
4.6 清洗作業安全及作業異常處置
4.6.1 清洗作業安全及注意事項
4.6.2 作業異常處置
4.7 洗淨工藝展望
第五章 濺射成膜（金屬膜）
5.1 濺射技術歷史的簡短回顧
5.2 濺射原理及分類
5.2.1 濺射原理
5.2.2 濺射分類
5.3 濺射材料
5.3.1 濺射氣體
5.3.2 濺射靶材
5.4 濺射設備
5.4.1 濺射設備的結構
5.4.2 成膜室構造
5.4.3 濺射設備的主要技術指標
5.5 濺射工藝條件的確定
5.5.1 直流電源功率的確定
5.5.2 成膜氣體壓力的確定
5.5.3 工藝室真空度的確定
5.5.4 磁場強度及其分布
5.5.5 成膜溫度的確定
5.5.6 濺射距離
5.6 金屬膜質量控制
5.6.1 基板表面灰塵管理
5.6.2 Sheet阻抗測量
5.6.3 透過率和反射率測量
5.6.4 結晶構造觀察
5.6.5 膜應力測量
5.6.6 密著性測定
5.6.7 膜厚測量
5.6.8 金屬膜的工藝問題
5.7 濺射作業安全及異常處理
第六章 CVD成膜（非金屬膜）
6.1 化學氣相沉積技術原理及分類
6.1.1 化學氣相沉積技術原理
6.1.2 化學氣相沉積技術的分類
6.2 CVD材料
6.2.1 矽烷（氣）
6.2.2 磷烷
6.2.3 氨氣
6.2.4 笑氣
6.2.5 氫氣
6.2.6 氮氣
6.3 CVD設備
6.3.1 UNAXIS設備總體結構說明
6.3.2 裝載腔和傳送腔結構
6.3.3 反應室結構
6.3.4 供氣、排氣、除害、水循環系統
6.3.5 附屬檔案
6.4 CVD工藝條件的確定
6.4.1 G-SiN工藝條件
6.4.2 連續3層成膜
6.5 TFT元件特性的簡單討論
6.6 CVD成膜設備的回顧與展望
第七章 曝光與顯影工藝技術
7.1 工藝原理
7.1.1 基本概要
7.1.2 TFT的結構
7.1.3 工藝流程
7.2 曝光工藝材料—光刻膠
7.3 曝光工藝設備
7.3.1 塗膠機
7.3.2 塗膠工藝
7.3.3 曝光裝置
7.3.4 掩模板
7.4 工藝條件的確定
7.5 灰度掩模板光刻工藝
7.6 曝光量與光刻膠形狀評價
7.6.1 工藝評價項目
7.6.2 工藝調試
7.6.3 光刻膠刻蝕
7.6.4 GT部光刻膠斷面形狀的確認
7.7 工藝管理與設備日常點檢
7.7.1 工藝管理
7.7.2 設備日常點檢
7.8 顯影
第八章 濕刻工藝技術
8.1 濕法刻蝕原理
8.2 濕刻工藝
8.3 濕法刻蝕設備
8.4 工藝性能要求
8.4.1 柵極濕刻
8.4.2 漏源極濕刻
8.4.3 像素電極濕刻
8.5 工藝參數
8.5.1 藥液溫度
8.5.2 藥液處理時間
8.5.3 藥液噴淋壓力
8.5.4 藥液濃度控制及藥液壽命
8.5.5 藥液入口淋浴流量
8.5.6 液切氣刀流量
8.5.7 水洗時間與水洗噴淋壓力
8.5.8 水洗入口淋浴流量
8.5.9 乾燥槽空氣刀的流量
8.6 濕刻工藝中常見的缺陷
第九章 乾刻技術
9.1 等離子乾刻原理
9.2 乾刻設備
9.3 乾刻工藝
9.4 矽島刻蝕工藝
9.4.1 矽島刻蝕工藝規範
9.4.2 日常點檢與灰塵檢查
9.4.3 調整作業
9.4.4 刻蝕速率的測定
9.4.5 段差測定
9.5 光刻膠刻蝕工藝
9.6 溝道刻蝕工藝
9.7 接觸孔刻蝕工藝規範
第十章 光刻膠剝離與退火
10.1 光刻膠剝離原理與材料
10.2 工藝要求
10.3 裝置介紹
10.4 重要工藝參數
10.5 工藝條件設定
10.6 日常點檢
10.7 退火
第十一章 缺陷解析技術
11.1 缺陷解析基礎
11.1.1 影響TFT性能的主要參數及其因數
11.1.2 像素電容的充電
11.1.3 電壓補償
11.1.4 柵極延遲
11.2 TFT陣列缺陷的分類與代碼
11.1.1 TFT陣列缺陷的分類
11.2.2 TFT陣列缺陷代碼
11.3 缺陷解析的主要工具
11.4 缺陷解析流程
11.4.1 缺陷分布圖
11.4.2 設備調查
11.5 主要缺陷解析
11.6 TN型液晶顯示器TFT缺陷圖譜及解析
11.7 SFT型液晶顯示器TFT缺陷圖譜及解析
第十二章 TFT檢查與修復
12.1 陣列檢查流程
12.1.1 TN品種的TFT陣列工藝檢查
12.2 流程設定
12.3 檢測設備
12.4 巨觀/微觀檢查
12.4.1 巨觀檢查
12.4.2 巨觀/微觀檢查設備工作原理
12.5 自動外觀檢查裝置
12.6 雷射修復和雷射CVD裝置
12.7 陣列測試檢查裝置
12.8 斷路和短路電氣檢查裝置
12.9 附錄 TN 4 Mask產品圖案檢查操作規格書
第十三章 TFT製造工藝小結與技術展望
13.1 TFT陣列製造工藝小結
13.2 TFT平板顯示技術展望
參考文獻
