《薄膜真空沉積中的電漿探測方法與技術》是2021年科學出版社出版的圖書，作者是陳吉堃。
基本介紹
- 中文名：薄膜真空沉積中的電漿探測方法與技術
- 作者：陳吉堃
- 出版時間：2021年10月1日
- 出版社：科學出版社
- 頁數：148 頁
- 字數：190000
- ISBN：9787030699152
- 裝幀：平裝
內容簡介,目錄,
內容簡介
《薄膜真空沉積中的電漿探測方法與技術》結合作者的長期相關研究系統介紹了低溫電漿的常用探測方法；重點結合脈衝雷射沉積實例對電漿與背景氣體間複雜的物理碰撞與化學反應，以及對薄膜沉積的基礎性影響關係作詳細介紹。
目錄
前言
第1章 電漿技術與薄膜真空沉積 1
1.1 低溫電漿概述 1
1.2 低溫電漿的產生 4
1.3 套用電漿技術的薄膜真空沉積方法 7
1.4 低溫電漿的測量與表征方法 15
1.5 套用於薄膜真空沉積的電漿綜合探測平台 17
1.6 本章小結 22
參考文獻 22
第2章 電漿的直接探測技術 24
2.1 朗繆爾探針技術 24
2.2 套用於低溫電漿探測的質譜技術概述 32
2.3 本章小結 35
參考文獻 36
第3章 電漿的間接表征技術 37
3.1 發射光譜技術 37
3.2 電漿成像技術 46
3.3 本章小結 49
參考文獻 49
第4章 脈衝雷射沉積（1）：雷射誘導電漿的初始性質 50
4.1 脈衝雷射誘導電漿的產生與傳播機理 51
4.2 脈衝雷射誘導初始電漿的離子特性 59
4.3 脈衝雷射誘導電漿中的電子性質 63
4.4 脈衝雷射誘導非金屬單質的電漿性質 70
4.5 脈衝雷射沉積法生長合金化合物 75
4.6 本章小結 78
參考文獻 78
第5章 脈衝雷射沉積（2）：電漿與背景氣體的物理作用 80
5.1 電漿與背景氣體間的相互作用 80
5.2 氣體平均碰撞自由程與電漿傳輸模式 81
5.3 氧化性背景氣體壓力對脈衝雷射沉積的影響關係 85
5.4 惰性氣體壓力對脈衝雷射沉積的影響關係 88
5.5 盧瑟福背散射與彈性反衝探測分析技術 93
5.6 本章小結 95
參考文獻 95
第6章 脈衝雷射沉積（3）：電漿與背景氣體間化學反應 97
6.1 氧氣背景氣體壓力對電漿組分的調控關係 97
6.2 氧氣下脈衝雷射沉積切削能量密度對電漿組分的調控關係 104
6.3 氧氣背景氣體下脈衝雷射沉積中金屬元素的普適性氧化規律 107
6.4 脈衝雷射沉積氧化物薄膜中氧元素的來源追蹤 110
6.5 3-YSZ、Ca3Co4O9脈衝雷射沉積中的電漿化學反應 114
6.6 本章小結 120
參考文獻 120
第7章 脈衝雷射沉積（4）：N2O強氧化性氣體下的電漿反應 122
7.1 N2O背景氣體下脈衝雷射誘導電漿特性舉例 122
7.2 N2O背景氣體中電漿化學反應的普適性規律 125
7.3 N2O背景氣體中電漿的離子動能 128
7.4 N2O背景氣體下氧化物脈衝雷射沉積薄膜中的氧元素追蹤 132
7.5 本章小結 134
參考文獻 134
第8章 脈衝雷射沉積（5）：脈衝氣體交叉反應切削 136
8.1 脈衝氣體交叉反應切削沉積技術簡介 136
8.2 脈衝氣體交叉反應沉積的電漿綜合探測平台 137
8.3 從電漿角度討論脈衝氣體交叉反應沉積的技術特點 137
8.4 本章小結 145
參考文獻 145
第9章 總結與展望 147
