薄柵氧化層(thin gate oxide)是1993年公布的電子學名詞。
基本介紹
- 中文名:薄柵氧化層
- 外文名:thin gate oxide
- 所屬學科:電子學
- 公布時間:1993年
薄柵氧化層(thin gate oxide)是1993年公布的電子學名詞。
薄柵氧化層 薄柵氧化層(thin gate oxide)是1993年公布的電子學名詞。公布時間 1993年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《電子學名詞》第一版。
SBD-HBD)。SILC作為柵氧化層老化過程的控制參數,可以通過對SILC監控來來判斷柵氧化層的老化過程。參考資料 超薄柵氧化層中應力誘導漏電流的研究,熊海,孔學東;不同厚度超薄柵氧化物MOSFET的應力誘導漏電流,張賀秋,許銘真;
採用薄柵氧化層(35 nm)和柵與源漏的自對準結構,減小器件的寄生參數,獲得更高性能的CMOS電晶體。為了提高BJT的放大和頻率等性能,必須減薄基區厚度;在製造工藝上這就要求進行淺基區擴散和淺發射區擴散(因為雜質熱擴散是一種在原子...
3.5.1薄柵氧化層的量子隧穿效應 3.5.2溝道反型層量子化效應 3.5.3溝道雜質隨機分布 3.6新型CMOS器件及其集成技術 3.6.1SOIMOSFET 3.6.2雙柵MOSFET 小結 參考文獻 第四章納米電子學基礎 4.1固體電子學在納米尺度的發展空間 ...
第4章 超薄柵氧化層的經時擊穿效應 第5章 微納米MOS器件的NBTI效應 第6章 微納米MOS器件的耦合效應 第7章 電漿工藝及誘生的器件失效 第8章 CMOS器件的ESD與損傷機理 第9章 ULSI中銅互連可靠性相關技術 第10章 微納米MOS...
毛凌鋒等給出了一種利用FN振盪電流的極值,測量電子在薄柵MOS結構的柵氧化層中的平均有效質量方法。利用波的干涉方法來處理電子隧穿勢壘的過程,方便地獲得了出現極值時外加電壓和電子的有效質量之間的分析表達式。用干涉方法計算所得到的...
4.5 柵氧擊穿125 4.5.1 擊穿情況125 4.5.2 擊穿機理127 4.5.3 擊穿的數學模型與模擬128 4.5.4 薄柵氧化層與高電場有關的物理/統計模型128 4.5.5 改進措施130 4.6 電遷移130 4.6.1 電遷移原理130 4.6.2 ...
一種主要的損傷是非均勻電漿在電晶體柵電極產生陷阱電荷,引起薄柵氧化矽的擊穿。差的設備或在最佳化的工藝視窗之外進行刻蝕工藝會使電漿變得不均勻。另一種器件損傷是能量離子對曝露的柵氧化層的轟擊。在刻蝕過程中,這種損傷在刻蝕...
以氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)和氧化鋅(ZnO)為代表的寬禁帶半導體是繼矽和砷化鎵(GaAs)之後的第三代半導體材料,具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率等特點,可實現高壓、高溫、高頻、大功率、抗輻射...