蒸鍍保護層

蒸鍍保護層是指對極易被環境氧化或污染的物種，如GaAs、InP等化合物半導體，可以在GaAs生長後，原位再蒸鍍一層As的薄膜。這樣，當把GaAs樣品非原位地轉移到另一個分析研究系統的過程中，首先被氧化的是表面上的As膜，而不是GaAs本身。當把GaAs 試樣送入UHV分析研究系統後，只要通過緩和加熱，便可將被氧化的As膜脫附掉，留下來的則是所需要的原始清潔的GaAs表面。

1.能在金屬、半導體、絕緣體甚至塑膠、紙張、織物表面上沉積金屬、半導體、絕緣體、不同成分比的合金、化合物及部分有機聚合物等的薄膜，其適用範圍之廣是其它方法無法與之比擬的

2.可以不同的沉積速率、不同的基板溫度和不同的蒸氣分子入射角蒸鍍成膜，因而可得到不同顯微結構和3.結晶形態（單晶、多晶或非晶等）的薄膜;

4.薄膜的純度很高

5.易於線上檢測和控制薄膜的厚度與成分。厚度控制精度最高可達單分子層量級

6.排出污染物很少且基本上沒有，無“三廢”公害；