董立松

董立松，男，中國科學院大學專任教師。

基本介紹

• 中文名：董立松
• 國籍：中國
• 畢業院校：合肥工業大學
• 學位/學歷：博士

人物經歷

教育背景

2008-09--2014-07 北京理工大學 博士研究生

2004-09--2008-07 合肥工業大學 學士學位

工作經歷

2017-07~現在, 中國科學院微電子研究所, 副研究員

2014-09~2017-07,中國科學院微電子研究所, 助理研究員

2008-09~2014-07,北京理工大學, 博士研究生

2004-09~2008-07,合肥工業大學, 學士學位

科研成果

專利成果

（ 1 ） 一種獲取套刻誤差量測數據的方法及裝置, 2020, 第 4 作者, 專利號: 202010057340.3

（ 2 ） 提高版圖光刻性能的方法、修正後的版圖及仿真方法, 2019, 第 3 作者, 專利號: 201911356420.2

（ 3 ） 一種確定光刻工藝節點禁止周期的方法及仿真方法, 2019, 第 3 作者, 專利號: 201911356545.5

（ 4 ） 一種套刻誤差的補償方法及裝置, 2019, 第 3 作者, 專利號: 201911113826.8

（ 5 ） 一種NAND Flash時序測試方法, 2019, 第 3 作者, 專利號: 201910983809.3

（ 6 ） 一種NAND Flash存儲器讀閾值電壓修複方法, 2019, 第 3 作者, 專利號: 201910940861.0

（ 7 ） 一種掩模參數的最佳化方法及裝置, 2018, 第 3 作者, 專利號: 201810967757.6

（ 8 ） 基於衍射的套刻誤差測量中測量波長的選擇方法, 2018, 第 4 作者, 專利號: 201810757735.7

（ 9 ） 測振裝置, 2018, 第 3 作者, 專利號: 201810645791.1

（ 10 ） 晶圓清洗裝置及晶圓清洗方法, 2018, 第 4 作者, 專利號: 201810565440.X

（ 11 ） 添加亞解析度輔助圖形的方法及該方法的套用, 2018, 第 4 作者, 專利號: 201810552404.X

（ 12 ） 測試圖形的選取方法和裝置、構建光刻模型的方法和裝置, 2018, 第 3 作者, 專利號: 201810054861.6

（ 13 ） 一種基於版圖幾何特徵匹配的光刻解決方案預測方法, 2016, 第 5 作者, 專利號: 201611184182.8

（ 14 ） 一種掩膜圖形的最佳化方法、最佳焦平面位置測量方法及系統, 2016, 第 1 作者, 專利號: 201610342206.1

（ 15 ） 七級衍射光柵結構及其製備方法、晶圓光刻對準方法, 2016, 第 2 作者, 專利號: 201610140991.2

（ 16 ） 五級衍射光柵結構及其製備方法、晶圓光刻對準方法, 2016, 第 2 作者, 專利號: 201610140129.1

（ 17 ） 光源掩模協同最佳化方法, 2015, 第 4 作者, 專利號: 201510810017.8

（ 18 ） 一種焦面位置測試掩膜版及確定焦面位置的方法, 2015, 第 1 作者, 專利號: 201510474182.0

出版信息

發表論文

（1） Impact of flare on source mask optimization in EUVL for 7nm technology node, Proc. SPIE, 2020, 第 1 作者

（2） Compressive sensing method for EUV source optimization using different bases, Proc. SPIE, 2020, 第 2 作者

（3） Analysis and modulation of aberration in an extreme ultraviolet lithography projector via rigorous simulation and a back propagation neural network, Applied Optics, 2020, 通訊作者

（4） Analysis and mitigation of forbidden pitch effects for EUV lithography, Proc. SPIE, 2020, 通訊作者

（5） A Study on Three Dimensional Mask Effect of Attenuated Phase-Shift Mask in Advanced Optical Lithography, Chinese Journal of Electronics, 2020, 通訊作者

（6） Fast extreme ultraviolet lithography mask near-field calculation method based on machine learning, Applied Optics, 2020, 第 2 作者

（7） EUV multilayer defect characterization via cycle-consistent learning, Optics Express, 2020, 第 4 作者

（8） Learning-based compressive sensing method for EUV lithographic source optimization, Optics Express, 2019, 第 2 作者

（9） A method for compensating lithographic influence of EUV mask blank defects by an advanced genetic algorithm, Proc. SPIE, 2019, 第 2 作者

（10） Design rule exploration for width sensitive zone for metal layers in advanced nodes, Proc. SPIE, 2019, 第 2 作者

（11） Impact of EUV multilayer mask defects on imaging performance and its correction methods, Proc. SPIE, 2019, 第 2 作者

（12） Impact of mask topography and flare on process window of EUV lithography, Proc. SPIE, 2019, 第 2 作者

（13） SoulNet: ultrafast optical source optimization utilizing generative neural networks for advanced lithography, J. Micro/Nanolith. MEMS, MOEMS, 2019, 第 3 作者

（14） Prediction Model of Etching Bias Based on Artificial Neural Network, IEEE, 2019, 第 2 作者

（15） The Impact of Segment Length on the Process Window in SMO, IEEE, 2019, 第 2 作者

（16） Fast optical proximity correction method based on nonlinear compressive sensing, Optics Express, 2018, 第 5 作者

（17） The method of optimizing mask parameter suitable for lithography process, Proc. SPIE, 2018, 第 2 作者

（18） Retargeting of forbidden-dense-alternate structures for lithography capability improvement in advanced nodes, Applied Optics, 2018, 第 2 作者

（19） Development defect model for immersion photolithography, J. Micro/Nanolith. MEMS MOEMS, 2018, 第 3 作者

（20） RESIST MODEL SETUP FOR NEGATIVE TONE DEVELOPMENT AT 14NM NODE, IEEE, 2018, 第 2 作者

（21） Optimization of absorber and multilayer in EUV mask for 1D and 2D patterns, Proc. SPIE, 2018, 第 3 作者

（22） Optimization of the focus monitor mark in immersion lithography according to illumination type, J. Micro/Nanolith. MEMS MOEMS, 2017, 第 1 作者

（23） Mitigating the influence of wafer topography on the implantation process in optical lithography, Optics Letter, 2017, 第 1 作者

（24） Improving the topography performance of ion implantation resist, Proc. SPIE, 2017, 第 1 作者

（25） Applications of RCWA on EUV mask optics, Proc. SPIE, 2017, 第 2 作者

（26） Hotspots Fixing Flow in NTD Process by Using DTCO Methodology at 10nm Metal 1 Layer, Proc. SPIE, 2017, 第 2 作者

（27） AN OFFLINE ROUGHNESS EVALUATION SOFTWARE AND ITS APPLICATION IN QUANTITATIVE CALCULATION OF WIGGLING BASED ON LOW FREQUENCY POWER SPECTRAL DENSITY METHOD, IEEE, 2017, 第 2 作者

（28） Characteristic study of image-based alignment for increasing accuracy in lithography application, J. Vac. Sci. Technol. B, 2017, 第 2 作者

（29） New alignment mark designs in single patterning and self-aligned double patterning, Microelectronic Engineering, 2017, 第 2 作者

（30） New alignment mark design structures for higher diffraction order wafer quality enhancement, Proc. SPIE, 2017, 第 2 作者

（31） Necessity of resist model in source mask optimization for negative tone development process, J. Micro/Nanolith. MEMS MOEMS, 2017, 第 2 作者

（32） 光源掩模協同最佳化的原理與套用, 半導體技術, 2017, 第 3 作者

（33） Optimization of resist parameters to improve the profile and process window of the contact pattern in advanced node, J. Micro/Nanolith. MEMS MOEMS, 2016, 第 1 作者

（34） A Novel Mask Structure for Measuring the Defocus of Scanner, Proc. SPIE, 2016, 第 1 作者

（35）

發表著作

（ 1 ） 計算光刻與版圖最佳化, 電子工業出版社, 2021-01, 第 3 作者

科研項目

（ 1 ） 超大數值孔徑光刻中的負顯影模型研究, 主持, 國家級, 2019-01--2021-12

（ 2 ） 5納米光刻技術方案與設計規則最佳化, 參與, 國家級, 2017-01--2020-12