莫慶偉

個人簡介

莫慶偉，男，漢族，1973年9月出生於重慶合川。1996年本科畢業於中國清華大學材料科學與工程專業，1998年碩士研究生畢業於中國科學院半導體研究所半導體材料工程專業，2003年博士研究生畢業於美國德克薩斯大學奧斯汀分校固態電子與光電子專業。

中組部“千人計畫”專家，中國照明學會半導體照明技術與套用專業委員會副主任，中國照明電器協會光電子器件專業委員會副主任，國際微電子和電子封裝雜誌特約審稿人，大連理工大學兼職教授。現任雷士集團旗下上市公司之一廣東德豪潤達電氣股份有限公司LED研發副總裁。（內容來源：浙江工商大學信息與電子工程學院）

研究領域

研究專長於大功率高亮度LED器件物理，光電子器件設計與工藝，新型光電子材料、器件及其封裝的研發和大規模生產的實現。帶領團隊圍繞“人本照明”、“智慧照明”等領域，展開研究與產品開發。

發表論文及演講18篇，申請專利23項，授權15項。國際微電子和電子封裝雜誌特約審稿人。（內容來源：浙江工商大學信息與電子工程學院）

學習及工作經歷

1991.9-1996.7 畢業於中國清華大學，獲得材料科學與工程學士學位。

1996.9–1998.12 在中科院半導體所師從王占國院士研究自組織生長量子點的材料與光學特性，獲得半導體材料工程碩士學位。

1999.12–2003.3 在美國德克薩斯大學奧斯汀分校，獲得固態電子與光電子博士學位，在美國博士研究期間加入IEEE院士Dennis Deppe的研究小組專攻基於量子點的半導體發光器，專注於垂直腔面發射雷射器的研究。

2003年3月-2005年3月在美國Kyotee任職首席工程師。

2005年3月-2007年3月在美國矽谷任職Bridgelux研究科學家，專注於大功率LED器件設計與工藝研究。

2007年3月-2012年12月在美國矽谷任職Philips Lumileds 資深科學家和高級研發經理，專注於大功率高亮度的LED器件及產品研發, 並成功研發和商業化全LED汽車前照燈產品(AUDI R8)。

2012年12月至今，現任雷士集團廣東德豪潤達電氣股份有限公司LED研發副總裁。（內容來源：浙江工商大學信息與電子工程學院）

重要獎項

美國全球Frost & Sullivan年度技術創新獎。

美國“Red Dot Award”(紅點獎)。

美國Daimler Special Award Innovation(戴姆勒特別創新獎)。

參加2014年第一屆“中國LED首創獎”活動評選：獲得ETi北極光LED倒裝晶片獲得“首創獎金獎”獎項;

參加2015年第二屆“中國LED首創獎”活動評選：獲得ETi CSP系列產品獲得“首創獎金獎”獎項。

“新型圖形化襯底上晶片級封裝的大功率倒裝發光二極體及其產業化”獲2017年度廣東省科技進步獎二等獎、專利“LED倒裝晶片封裝器件、其製造方法及使用其的封裝結構”獲第十九屆中國專利獎優秀獎。

發表時間	論著（論文）名稱	發表載體	論著（論文）作者
2011	LED for Automotive headlamp	International Symposium on Automotive lighting, Darmstadt, Germany 2011	Q. Mo et at,
2004	Laser Display based on MEMS Technology	Invited Talk, SPIE, 2004	L. MacMakin,Q. Mo,
2003	Room-Temperature Continuous Wave Operation of GaAs-Based Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser Based on a P-Type GaAs/air Mirror,	Electronics Letters, page: 525- 526 Volume: 39, Issue: 6	Q. Mo, H. Chen, Z. Huang, O.B. Shchekin C. Cao, S. Lipson, and D. G. Deppe
2003	Room-temperature CW operation of 980nm air-gap VCSELs	Conference on lasers and eletro optics (CLEO) 2003	Q. Mo, H. Chen, Z. Huang, O.B. Shchekin C. Cao, S. Lipson, and D. G. Deppe
2002	Quantum dots for laser and microcavity devices	Photonics West (Invited Paper)	D. G. Deppe, O. B. Shchekin, Q. Mo, C. Cao, Z. Zou, H. Chen,
2000	Low-threshold continuous-wave two-stack quantum-dot laser with reduced temperature sensitivity	IEEE Photonics Technology Letters, 2000 Volume: 12 Start Page: 1120	Shchekin, O.B.; Park, G.; Huffaker, D.L.; Mo, Q.; Deppe, D.G.,
1999	Arsenic clusters on the surface of vertically aligned InAs islands on GaAs substrate by annealing	Applied Physics Letters, vol.75, no.19, 8 Nov. 1999, pp.2951-3. Publisher: AIP, USA	Fan TW, Mo QW, Lin F, Wang ZG, Zhang W
1998	Effects of annealing on self-organized InAs quantum islands on GaAs (100)	Applied Physics Letters, vol.73, no.24, 14 Dec. 1998, pp.3518-20. Publisher: AIP, USA	Mo QW, Fan TW, Gong Q, Wu J, Wang ZG, Bai YQ
1998	Structural and optical changes in GaAs/InAs/GaAs structure induced by thermal annealing	1998 5th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (Cat. No.98EX105). IEEE. 1998, pp.641-4. Piscataway, NJ, USA	Mo QW, Fan TW, Gong Q, Wu J, Wang ZG, Bal YQ, Zhang W.
1999	InAs/In/sub 0.52/Al/sub 0.48/As quantum wire structure with the specific layer-ordering orientation on InP(001).	Journal of Crystal Growth, vol.197, no.1-2, Feb. 1999, pp.95-8. Publisher: Elsevier, Netherlands	Wu J, Xu B, Li HX, Mo QW, Wang ZG, Zhao XM, Wu D.
1998	InAs/In/sub 0.52/Al/sub 0.48/As quantum wire structure with the specific layer-ordering orientation on InP(001),	Semiconducting and Insulating Materials 12. Proceedings of the 10th Conference on Semiconducting and Insulating Materials (SIMC-X) (Cat. No.98CH36159). IEEE. 1998, pp.199-202. Piscataway, NJ, USA	Wu J, Xu B, Li HX, Mo QW, Wang ZG, Zhao XM, Wu D.
1997	Low temperature growth of reactive partially ionized beam deposited AlN films	Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B-Beam Interactions with Materials & Atoms, vol.124, no.4, May 1997, pp.519-22.	Xie Junqing, Mo Qingwei, Feng Jiayou
1997	Reactive partially ionized beam deposition of AlN thin films	Materials Letters, v 33, n 3-4, Dec, 1997, p 133-136 In English	Feng Jiayou, Xie Junqing, Mo Qingwei
1998	Study of molecular beam epitaxy InAs multilayers dots by TEM,	Journal of University of Science Technology at Beijing, p 182-184 In Chinese	Bai Yuanqiang, Mo Qingwei; Fan Tiwen
1998	Convergent beam electron diffraction study of the GeSi/Si interface	Journal of Chinese Electron Microscopy Society, Vol 17, no. 5,	Qing Zhihong, Liu delu, Mo Qingwei, Fan Tiwen
1998	CBED Study on Interface of Si1-xGex/Si, Proceeding of 9th China-Japan Seminar	Proceeding of 9th China-Japan Seminar on Electron Microscopy (Dalian, China), September 1998.	Qing Zhihong, Liu Delu, Mo Qingwei, Fan Tiwen
1998	Transmission Electron Microscopy Study on InAs Quantum Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy	6th Solid Thin Film Conference of China (Chengdu, China)	Fan Tiwen, Gong Qian, Mo Qingwei, Li ZhengQin, Wang Zhanguo,

專利保護期	專利名稱	授權國家	專利所有者
10/22/2007~	Robust LED structure for substrate lift-off	國際	Philips Lumileds Lighting Company, LLC (San Jose, CA) Koninklijke Philip Electronics N.V. (Eindhoven, NL)
07/06/2010~	PASSIVATION FOR A SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE	國際	KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.
03/17/2006~	Highly reflective mounting arrangement for LEDs	國際	Bridgelux, Inc. (Livermore, CA)
11/19/2010~	ISLANDED CARRIER FOR LIGHT EMITTING DEVICE	國際	KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.

莫慶偉

基本介紹

個人簡介

研究領域

學習及工作經歷

重要獎項

主要成果

代表性論著

專利項目

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