《自旋相關電子在納米結構中的傳輸》是李云為項目負責人，雲南大學為依託單位的地區科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：自旋相關電子在納米結構中的傳輸
- 項目類別：地區科學基金項目
- 項目負責人：李雲
- 依託單位：雲南大學
- 批准號：10564004
- 申請代碼：A2003
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2006-01-01 至 2008-12-31
- 支持經費：25（萬元）
項目摘要
隨著人們對電子微觀特性及行為的認識的深入，在功能材料及器件方面不斷開闢出許多新的研究前沿。對小於100納米結構中電子運動的研究，揭示出了與電子的自旋特性相關的嶄新的物理現象及效應,在自旋電子學(spintronics)領域開始了基於電子自旋轉移控制(spin-transfer switching)的新一代電子元器件一非破壞性高密度磁性記憶元器件(MRAM)的研究.與現有的記憶元件相比，MRAM具有數據不丟失(nonvolatile)、非破壞性讀取、快速存儲（小於2nsec）以及無限期壽命等優點。.本項目旨在研究外加偏壓、雜質及自旋-軌道相互作用引起的自旋反轉和自旋混合效應對自旋極化電流輸運特性及相關效應的影響；研究雙勢壘磁性隧道結中自旋極化電流引起磁化強度反轉的有關因素,探索降低臨界電流密度這一關係到MRAM套用的核心問題。
