磁性多層納米結構中自旋相關輸運問題理論研究

《磁性多層納米結構中自旋相關輸運問題理論研究》是依託中國科學院大學，由蘇剛擔任項目負責人的重大研究計畫。

基本介紹

• 中文名：磁性多層納米結構中自旋相關輸運問題理論研究
• 項目類別：重大研究計畫
• 項目負責人：蘇剛
• 依託單位：中國科學院大學
• 批准號：90403036
• 申請代碼：A20
• 負責人職稱：教授
• 研究期限：2005-01-01 至 2007-12-31
• 支持經費：25（萬元）

項目摘要

基於電子自旋自由度的自旋電子學器件有望成為下一代高速度、高密度、高容量、低功耗、多功能以及高度集成的微電子器件，將對未來信息處理、儲存和傳輸技術產生不可估量的作用，對自旋電子學相關理論問題的研究無疑具有重要的科學意義。本研究項目將針對自旋電子學領域中的基本問題，從理論上探討磁性多層納米結構中的自旋相關輸運問題，研究在外界因素的作用下幾種典型磁性多層納米結構（如二連線埠或多連線埠鐵磁/超導、鐵磁/非費米金屬、磁性半導體/金屬或絕緣體等異質結構）中的電子輸運和自旋輸運特性，弄清其一般規律性，為自旋電子學器件的製備提供必要的理論基礎。