納米結構非周期陣列中電子輸運的研究

納米結構非周期陣列中電子輸運的研究

《納米結構非周期陣列中電子輸運的研究》是依託南京大學,由金國鈞擔任項目負責人的面上項目。

基本介紹

  • 中文名:納米結構非周期陣列中電子輸運的研究
  • 項目類別:面上項目
  • 項目負責人:金國鈞
  • 依託單位:南京大學
  • 批准號:60371013
  • 申請代碼:F0122
  • 負責人職稱:教授
  • 研究期限:2004-01-01 至 2006-12-31
  • 支持經費:15(萬元)
項目摘要
人工納米結構表現出許多不同於塊狀材料的物理特性,為器件的小型化甚至分子、原子化提供了廣闊的前景。針對人工納米結構的電子輸運性質進行理論研究,對於器件的設計和製備具有重要的指導意義。本項目包括兩方面的研究內容,圍繞著人工納米結構的非周期陣列中的電子輸運這個主題展開。一方面擬對非周期排列的量子阱、量子線(包括量子環)和量子點陣列中電子的電荷輸運進行系統研究,揭示在量子限制效應和非周期性雙重影響下此類結構的新奇物理性質,為實驗工作者提供結構參數和材料性能的選擇方案;另一方面,在上述研究的基礎之上,將電子的自旋納入考慮範圍,研究非周期的磁性納米結構陣列中的自旋相關輸運問題。

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