| 中文名稱 | 自旋相關散射 |
| 英文名稱 | spin dependent scattering |
| 定 義 | 在鐵磁金屬和其夾層膜內電子輸運過程中，受到的與電子自旋狀態有關的散射。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），材料科學技術基礎（二級學科），材料科學基礎（三級學科），材料物理及化學基礎（四級學科） |
| 中文名稱 | 自旋相關散射 |
| 英文名稱 | spin dependent scattering |
| 定 義 | 在鐵磁金屬和其夾層膜內電子輸運過程中，受到的與電子自旋狀態有關的散射。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），材料科學技術基礎（二級學科），材料科學基礎（三級學科），材料物理及化學基礎（四級學科） |
中文名稱 自旋相關散射 英文名稱 spin dependent scattering 定義 在鐵磁金屬和其夾層膜內電子輸運過程中,受到的與電子自旋狀態有關的散射。 套用學科 材料科學...
因此自旋霍爾角的本質是自旋軌道耦合作用下的自旋相關散射。自旋霍爾角的機制即自旋散射機制包含基於能帶結構的內享機制和基於雜質散射的外享機制。...
自旋傳導電流是發生自旋翻轉的時候,所需要流過自旋邏輯器件的電流,也稱自旋極化電流。自旋傳導電流與磁化動力學理論相關。電流驅動的磁化動力學理論是目前磁學界的一...
隧道磁電阻來源於鐵磁層中自旋向上電子和自旋向下電子態密度的不對稱性。假設沒有自旋反轉散射 (遂穿過程中電子的自旋守恆), 自旋極化遂穿幾率依賴於個鐵磁層中...
目前,多數實驗表明,多層膜GMR效應主要來源於界面自旋相關的散射,與界面原子排列的粗糙度密切相關 ,合適的界面粗糙度可獲得較大的GMR效應。...
理論和實驗證明,鐵磁金屬或合金的輸運過程可分解為自旋向上和自旋向下兩個幾乎相互獨立的電子導電通道,相互並聯,這就是自旋相關散射的二流體模型。這種鐵磁金屬導電...
鐵磁膜的飽和磁化強度、自旋弛豫長度,以及鐵磁/非鐵磁界而的自旋相關散射係數等參數都會對臨界電流和磁阻變化率產生直接影響。Co、CoFe、鎳鐵合金等多種鐵磁材料都...
它涉及自旋極化。自旋相關散射和隧穿、自旋積累及弛豫、電荷自旋一軌道一晶格間相互作用等強關聯和量子干涉效應,是當今凝聚態物理的重大課題。...
各向異性磁電阻效應(AMR)是指鐵磁材料的電阻率隨自身磁化強度和電流方向夾角改變而變化的現象。它的微觀機制是基於自旋軌道耦合作用誘導的態密度及自旋相關散射的各向...
16.4分子巨磁阻和分子自旋電子學16.4.1巨磁阻材料16.4.2自旋相關散射雙電流模型16.4.3多層膜巨磁阻器件16.4.4分子磁體的自旋電子學...
巨磁電阻效應是在磁性/非磁性多層膜交疊結構中的一種量子力學效應,當不同鐵磁層的磁矩之間相互平行時,載流子自旋相關的散射截面小,材料表現低阻態;當不同鐵磁層...
[2] 在理論上分別獨立地提出一種納米尺度下新的自旋相關效應—電流感應的磁化...採用飽和磁化強度較低的材料作為自由層,增強界而的自旋相關散射、都有利於降低...