胡益豐，男，1977年5月生，江蘇常州人，中共黨員。2000年本科畢業於蘇州大學物理系。2006年6月畢業於廣西大學物理科學與工程技術學院，獲理學碩士。2015年畢業於同濟大學材料學院，獲工學博士學位。 主要研究方向：半導體合金薄膜與器件。
基本介紹
- 中文名：胡益豐
- 國籍：中國
- 出生地：江蘇常州
- 出生日期：1977年5月
- 畢業院校：蘇州大學
- 主要成就：常州市中青年骨幹人才稱號
- 代表作品： Ni-Co-Cr 高溫合金中 3d 電子及鍵結構的正電子湮沒研究
- 政治面貌：中共黨員
一、學歷學位
同濟大學材料學院信息功能材料與器件專業博士學位。
二、科研方面
1. 課題
主持並已經完成項目：江蘇省教育廳項目1項，校基金3項； 目前主持江蘇省科技廳自然科學基金面上項目1項。
主持並已經完成項目：江蘇省教育廳項目1項，校基金3項； 目前主持江蘇省科技廳自然科學基金面上項目1項。
2. 發表論文及專利
任現職以來共發表論文30多篇，其中SCI收錄20多篇。
申請發明專利11項，授權2項。
任現職以來共發表論文30多篇，其中SCI收錄20多篇。
申請發明專利11項，授權2項。
3. 獲獎
（1）2013年常州市第十二次自然科學優秀科技論文獎三等獎
（2）2009年常州市第十次自然科學優秀科技論文獎三等獎
（3）2007年常州市第九次自然科學優秀科技論文獎二等獎
（4）2009年獲常州市“831高層次創新創業人才培養工程” 首批中青年骨幹人才稱號
（1）2013年常州市第十二次自然科學優秀科技論文獎三等獎
（2）2009年常州市第十次自然科學優秀科技論文獎三等獎
（3）2007年常州市第九次自然科學優秀科技論文獎二等獎
（4）2009年獲常州市“831高層次創新創業人才培養工程” 首批中青年骨幹人才稱號
4. 其他方面
2013年作為主要參與者參與中央財政支持項目：數理學院信息功能材料與器件實驗室的申報並獲批。2015年創建江蘇理工學院“微納光電信息材料與器件研究中心”。
2013年作為主要參與者參與中央財政支持項目：數理學院信息功能材料與器件實驗室的申報並獲批。2015年創建江蘇理工學院“微納光電信息材料與器件研究中心”。
三、教學方面
1.講授課程 《大學物理》、《物理實驗》、《物理與文化》3門課程，教學工作量飽滿。
2.獲獎
（1）2010年校教學優秀三等獎
（2）2009年數理學院青年教師講課比賽二等獎
（3）2007年校青年教師講課比賽優秀獎
（4）2009年校本科教學評建工作先進個人
（1）2010年校教學優秀三等獎
（2）2009年數理學院青年教師講課比賽二等獎
（3）2007年校青年教師講課比賽優秀獎
（4）2009年校本科教學評建工作先進個人
3.教研
（1）2011年5月，主持完成校教改課題“《文科物理》課程建設的理論和實踐研究”。
（2）主持創建《大學物理》網路課堂，2008年並被評為校優秀網路課堂。
（3）2009年10月，作為主要參與者完成校教改課題“《大學物理》試題庫建設”。
（4）2009年-2011年作為主要參與者完成教育部物理教指委課題“《大學物理基本要求》實施與完善”研究。
（5）作為主要參與者參加江蘇省教改課題“大學物理分型教學研究”研究。
（6）參與《大學物理》校級精品課程建設。
（7）參與《物理實驗》省級實驗示範中心建設。
（1）2011年5月，主持完成校教改課題“《文科物理》課程建設的理論和實踐研究”。
（2）主持創建《大學物理》網路課堂，2008年並被評為校優秀網路課堂。
（3）2009年10月，作為主要參與者完成校教改課題“《大學物理》試題庫建設”。
（4）2009年-2011年作為主要參與者完成教育部物理教指委課題“《大學物理基本要求》實施與完善”研究。
（5）作為主要參與者參加江蘇省教改課題“大學物理分型教學研究”研究。
（6）參與《大學物理》校級精品課程建設。
（7）參與《物理實驗》省級實驗示範中心建設。
現職以來發表論文：
1. Zou H., Wang X.,Hu Y.*,Zhu X., Sui Y., Shen D., Song Z. Optical thermometry based on the upconversion luminescence from Er doped Bi7Ti4TaO21 ferroelectric ceramics.Journal of Materials Science: Materials in Electronics.2015;26(9):6502-5. Epub 6505.
2.Zhu X. Q.,Hu Y. F.*,Yuan L., Sui Y. X., Xue J. Z., Shen D. H., Zhang J. H., Song S. N., Song Z. T. Nitrogen-Doped Ge10Sb90 Phase Change Thin Films for High-Temperature Data Retention and High-Speed Application.Journal Of Electronic Materials.2015;44(10):3322-6. Epub 3326.
3.Wu W.,Hu Y.*,Zhu X., Sui Y., Xue J., Yuan L., Song S., Song Z. Improvement of the thermal stability and power consumption of Sb70Se30 through nitrogen doping.Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 2015.
4.Li Z.,Hu Y.,Wen T., Zhai J., Lai T. Femtosecond laser-induced crystallization of amorphous N-doped Ge8Sb92 films and in situ characterization by coherent phonon spectroscopy.Journal Of Applied Physics.2015;117(13):135703.
5.Hu Y.,Zhu X., Zou H., Lu Y., Xue J., Sui Y., Wu W., Yuan L., Song S., Song Z. Alx(Sn2Se3)1-x phase change films for high-temperature data retention and fast transition speed application.Journal of Materials Science: Materials in Electronics.2015;26:7757-62.
6.Hu Y.,Zhai J., Zeng H., Song S., Song Z. Improvement of reliability and power consumption for SnSb4 phase change film composited with Ga3Sb7 by superlattice-like method. Journal Of Applied Physics. 2015;117:175704.
7.Hu Y.,He Z., Zhai J., Wu P., Lai T., Song S., Song Z. Superlattice-like SnSb4/Ga3Sb7 thin films for ultrafast switching phase-change memory application.Applied Physics A: Materials Science & Processing.2015.
8.Zhu X. Q.,Hu Y. F.*,Zou H., Sui Y. X., Xue J. Z., Shen D. H., Zhang J. H., Song S. N., Song Z. T., Sun S. P. Influence of N-doping on the thermal stability and switching speed of Zn15Sb85 phase change material.Journal of Materials Science: Materials in Electronics.2014;26(2):1212-6.
9.Zhu X. Q.,Hu Y. F.*,Xue J. Z., Sui Y. X., H. W. W., Zheng L., Yuan L., Song S. N., Song Z. T., Sun S. P. N-doped Zn15Sb85 phase-change materials for higher thermal stability and lower power consumption.Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 2014;25(7):2943-7.
10.Hu Y. F.,Feng X. Y., Li S. M., Lai T. S., Song S. N., Song Z. T., Zhai J. W. Superlattice-like Ge8Sb92/Ge thin films for high-speed and low power consumption phase change memory application. Scripta Materialia. 2014;93. Epub 7.
11.Feng X. Y.,Hu Y. F., Zhai J. W., Wang C. Z., Song S. N., Song Z. T. Multi-step phase-change behavior in Ga30Sb70/SnSe2 nanocomposite multilayer thin films.Journal Of Applied Physics.2014;115(20):204303 (5 pp.).
12.Hu Y. F.,Sun M. C., Song S. N., Song Z. T., Zhai J. W. Oxygen-doped Sb4Te phase change films for high-temperature data retention and low-power application.Journal Of Alloys and Compounds.2013;551:551-5.
13.Hu Y. F.,Li S. M., Lai T. S., Song S. N., Song Z. T., Zhai J. W. Fast crystallization and low power of Al-doped Sn2Se3 thin films for phase change memory applications.Journal Of Alloys and Compounds.2013;581:515-8.
14.Hu Y. F.,Li S. M., Lai T. S., Song S. N., Song Z. T., Zhai J. W. Al19Sb54Se27 material for high stability and high-speed phase-change memory applications.Scripta Materialia.2013;69(1):61-4.
1. Zou H., Wang X.,Hu Y.*,Zhu X., Sui Y., Shen D., Song Z. Optical thermometry based on the upconversion luminescence from Er doped Bi7Ti4TaO21 ferroelectric ceramics.Journal of Materials Science: Materials in Electronics.2015;26(9):6502-5. Epub 6505.
2.Zhu X. Q.,Hu Y. F.*,Yuan L., Sui Y. X., Xue J. Z., Shen D. H., Zhang J. H., Song S. N., Song Z. T. Nitrogen-Doped Ge10Sb90 Phase Change Thin Films for High-Temperature Data Retention and High-Speed Application.Journal Of Electronic Materials.2015;44(10):3322-6. Epub 3326.
3.Wu W.,Hu Y.*,Zhu X., Sui Y., Xue J., Yuan L., Song S., Song Z. Improvement of the thermal stability and power consumption of Sb70Se30 through nitrogen doping.Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 2015.
4.Li Z.,Hu Y.,Wen T., Zhai J., Lai T. Femtosecond laser-induced crystallization of amorphous N-doped Ge8Sb92 films and in situ characterization by coherent phonon spectroscopy.Journal Of Applied Physics.2015;117(13):135703.
5.Hu Y.,Zhu X., Zou H., Lu Y., Xue J., Sui Y., Wu W., Yuan L., Song S., Song Z. Alx(Sn2Se3)1-x phase change films for high-temperature data retention and fast transition speed application.Journal of Materials Science: Materials in Electronics.2015;26:7757-62.
6.Hu Y.,Zhai J., Zeng H., Song S., Song Z. Improvement of reliability and power consumption for SnSb4 phase change film composited with Ga3Sb7 by superlattice-like method. Journal Of Applied Physics. 2015;117:175704.
7.Hu Y.,He Z., Zhai J., Wu P., Lai T., Song S., Song Z. Superlattice-like SnSb4/Ga3Sb7 thin films for ultrafast switching phase-change memory application.Applied Physics A: Materials Science & Processing.2015.
8.Zhu X. Q.,Hu Y. F.*,Zou H., Sui Y. X., Xue J. Z., Shen D. H., Zhang J. H., Song S. N., Song Z. T., Sun S. P. Influence of N-doping on the thermal stability and switching speed of Zn15Sb85 phase change material.Journal of Materials Science: Materials in Electronics.2014;26(2):1212-6.
9.Zhu X. Q.,Hu Y. F.*,Xue J. Z., Sui Y. X., H. W. W., Zheng L., Yuan L., Song S. N., Song Z. T., Sun S. P. N-doped Zn15Sb85 phase-change materials for higher thermal stability and lower power consumption.Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 2014;25(7):2943-7.
10.Hu Y. F.,Feng X. Y., Li S. M., Lai T. S., Song S. N., Song Z. T., Zhai J. W. Superlattice-like Ge8Sb92/Ge thin films for high-speed and low power consumption phase change memory application. Scripta Materialia. 2014;93. Epub 7.
11.Feng X. Y.,Hu Y. F., Zhai J. W., Wang C. Z., Song S. N., Song Z. T. Multi-step phase-change behavior in Ga30Sb70/SnSe2 nanocomposite multilayer thin films.Journal Of Applied Physics.2014;115(20):204303 (5 pp.).
12.Hu Y. F.,Sun M. C., Song S. N., Song Z. T., Zhai J. W. Oxygen-doped Sb4Te phase change films for high-temperature data retention and low-power application.Journal Of Alloys and Compounds.2013;551:551-5.
13.Hu Y. F.,Li S. M., Lai T. S., Song S. N., Song Z. T., Zhai J. W. Fast crystallization and low power of Al-doped Sn2Se3 thin films for phase change memory applications.Journal Of Alloys and Compounds.2013;581:515-8.
14.Hu Y. F.,Li S. M., Lai T. S., Song S. N., Song Z. T., Zhai J. W. Al19Sb54Se27 material for high stability and high-speed phase-change memory applications.Scripta Materialia.2013;69(1):61-4.
15.Hu Y. F., Feng X. Y., Li S. M., Lai T. S., Song S. N., Song Z. T., Zhai J. W. Superlattice-like Sb50Se50/Ga30Sb70 thin films for high-speed and high density phase change memory application.Applied Physics Letters.2013;103(15):152107--4.
16.Hu Y. F., Deng W. Microdefects and Electron Densities in Near-Equiatomic NiTi Alloys Studied by Positron Annihilation Spectroscopy.Rare Metal Materials and Engineering.2013;42(8):1581-4.
17.Sun M. C.,Hu Y. F., Shen B., Zhai J. W., Song S. N., Song Z. T. Si/SnSe2 Multilayer Films for Phase Change Memory Applications.Integrated Ferroelectrics.2012;140(1):1-7.
18.Hu Y. F.,Sun M. C., Song S. N., Song Z. T., Zhai J. W. Multi-Step Resistance Memory Behavior in Ge2Sb2Te5/GeTe Stacked Chalcogenide Films.Integrated Ferroelectrics.2012;140(1):8-15.
19.胡益豐,郝文博, 鄧文. Ni-Co-Cr 高溫合金中 3d 電子及鍵結構的正電子湮沒研究.稀有金屬材料與工程.2010;39(007):1171-4.
20.胡益豐,鄧文. 合金化成分對 NiTi 合金 Ms 點影響的正電子湮沒研究.低溫物理學報.2010;6:445-8.
21.Hu Y.-F.,Hao W.-B., Deng W. Ni-Co-Cr 高溫合金中 3d 電子作用的正電子湮沒研究.材料導報.2010;24(8):62-4+ 83.
22.胡益豐,沈大華, 鄧文. NiTi 形狀記憶合金中缺陷和電子密度的正電子湮沒研究.稀有金屬材料與工程. 2009;38(1):38-41. Epub 41.
23.胡益豐,沈大華, 鄧文. Al-Mg—Si 合金 GP 區強化作用的價電子結構分析.輕金屬.2008(8):55-8.
24.胡益豐,鄧文, 陳真英. NiTi 合金的電子結構及缺陷作用的符合正電子湮沒研究.稀有金屬材料與工程.2007;36(6):985-8.
25.胡益豐,鄧文, 黃樂. NiTi 合金形狀記憶效應的微觀機制研究進展.材料導報.2006;20(2):114-7.
26.胡益豐.工科大學物理教學改革的探索. Journal of Liaocheng Unlversity (Nat Sci). 2006;19(4).
27.鄧文,胡益豐,岳麗, 郝文博, 黃樂, 黃宇陽, 熊良鉞. NiTi 形狀記憶合金相變過程的正電子湮沒研究.低溫物理學報. 2006;28(3):236-41.
28.Hu Y. F.,Deng W., YUE L., HUANG L., HUANG Y.-y., XIONG L.-y. Microdefects and electron densities in NiTi shape memory alloys studied by positron annihilation.Transactions Of Nonferrous Metals Society Of China.2006;16(6):1259-62.
16.Hu Y. F., Deng W. Microdefects and Electron Densities in Near-Equiatomic NiTi Alloys Studied by Positron Annihilation Spectroscopy.Rare Metal Materials and Engineering.2013;42(8):1581-4.
17.Sun M. C.,Hu Y. F., Shen B., Zhai J. W., Song S. N., Song Z. T. Si/SnSe2 Multilayer Films for Phase Change Memory Applications.Integrated Ferroelectrics.2012;140(1):1-7.
18.Hu Y. F.,Sun M. C., Song S. N., Song Z. T., Zhai J. W. Multi-Step Resistance Memory Behavior in Ge2Sb2Te5/GeTe Stacked Chalcogenide Films.Integrated Ferroelectrics.2012;140(1):8-15.
19.胡益豐,郝文博, 鄧文. Ni-Co-Cr 高溫合金中 3d 電子及鍵結構的正電子湮沒研究.稀有金屬材料與工程.2010;39(007):1171-4.
20.胡益豐,鄧文. 合金化成分對 NiTi 合金 Ms 點影響的正電子湮沒研究.低溫物理學報.2010;6:445-8.
21.Hu Y.-F.,Hao W.-B., Deng W. Ni-Co-Cr 高溫合金中 3d 電子作用的正電子湮沒研究.材料導報.2010;24(8):62-4+ 83.
22.胡益豐,沈大華, 鄧文. NiTi 形狀記憶合金中缺陷和電子密度的正電子湮沒研究.稀有金屬材料與工程. 2009;38(1):38-41. Epub 41.
23.胡益豐,沈大華, 鄧文. Al-Mg—Si 合金 GP 區強化作用的價電子結構分析.輕金屬.2008(8):55-8.
24.胡益豐,鄧文, 陳真英. NiTi 合金的電子結構及缺陷作用的符合正電子湮沒研究.稀有金屬材料與工程.2007;36(6):985-8.
25.胡益豐,鄧文, 黃樂. NiTi 合金形狀記憶效應的微觀機制研究進展.材料導報.2006;20(2):114-7.
26.胡益豐.工科大學物理教學改革的探索. Journal of Liaocheng Unlversity (Nat Sci). 2006;19(4).
27.鄧文,胡益豐,岳麗, 郝文博, 黃樂, 黃宇陽, 熊良鉞. NiTi 形狀記憶合金相變過程的正電子湮沒研究.低溫物理學報. 2006;28(3):236-41.
28.Hu Y. F.,Deng W., YUE L., HUANG L., HUANG Y.-y., XIONG L.-y. Microdefects and electron densities in NiTi shape memory alloys studied by positron annihilation.Transactions Of Nonferrous Metals Society Of China.2006;16(6):1259-62.
