胡建民,1972年4月生人,博士,教授,碩士研究生導師。1995年畢業於哈爾濱師範大學物理系(獲學士學位);2004年畢業於哈爾濱師範大學理學院(獲碩士學位);2009年畢業於哈爾濱工業大學材料學院(獲博士學位).
基本介紹
- 中文名:胡建民
- 國籍:中國
- 出生日期:1972年4月
- 職業:教授,碩士研究生導師
人物經歷
研究方向
- 熱電材料的摻雜機理與性能最佳化研究。
- .空間太陽電池的輻照損傷效應與在軌性能退化預測方法。
主要貢獻
2.主持哈爾濱師範大學青年學術骨幹資助計畫項目“空間帶電粒子輻照下GaInP/GaAs/Ge三結太陽電池的損傷效應和機理”(批准號:KGB200914),2010年1月~2012年12月,8萬。
3.參與國家重大基礎研究規劃項目“***性能退化機理與規律研究”(№:國防973-61343)專題項目“GaAs太陽電池在軌環境效應與微觀損傷機理研究”,(2005年01月~2008年12月) 。
4.哈爾濱師範大學科技發展預研項目“GaInP/GaAs/Ge三結太陽電池在軌行為評價方法研究”(№:09XYG-12,2010年01月~2012年12月,6萬)。
代表性論文
吳宜勇,岳龍,胡建民,肖景東,陳鳴波,錢勇,楊德莊,何世禹. 等效位移損傷劑量法預測GaInP/GaAs/Ge三結電池在軌性能退化規律,太空飛行器環境工程,2011(28)4:329。
吳宜勇,岳龍,胡建民,藍慕傑,肖景東,楊德莊,何世禹,張忠衛,王訓春,錢勇,陳鳴波,位移損傷劑量法評估GaAs/Ge太陽電池輻照損傷過程,物理學報,2011(60)9:098110。
胡建民,吳宜勇,何松,錢勇,陳鳴波,楊德莊. 國產GaAs/Ge太陽電池在軌行為評價,太陽能學報,2010(31)12:1568-1573。