胡小波，福建鐵路實業發展有限公司資產運營事業部副經理。
基本介紹
- 中文名：胡小波
- 主要成就：2021年6月被評為“中國鐵路優秀共產黨員”
所獲榮譽
2021年6月，被評為“中國鐵路優秀共產黨員”。
胡小波，福建鐵路實業發展有限公司資產運營事業部副經理。
胡小波，男，漢族，四川榮縣人，1970年11月生，1988年7月參加工作，1993年9月加入中國共產黨，黨校大學。現任自貢市人民政府民族宗教事務局局長。人物履歷1985.09--1988.07 四川省榮縣師範學校中師專業...
胡小波 胡小波，現任甘肅省天水市秦州區水務局黨組書記、局長。工作分工 主持局黨組、局行政全面工作。
胡小波 胡小波，男，漢族，中共黨員，1976年7月生，在職大學學歷。現任四川省什邡市經濟和信息化局副局長。人物履歷 曾任什邡市紅白鎮黨委副書記、紀委書記。現任四川省什邡市經濟和信息化局副局長。
《可調脈寬的高功率脈衝光纖雷射器》是深圳市創鑫雷射股份有限公司於2011年06月01日申請的發明專利，該專利的公布號為：CN102255229A，專利公布日：2011年11月23日，該專利申請號為2011101457379，發明人是胡小波。《可調脈寬的高功率脈衝光纖雷射器》公開了一種可調脈寬的高功率脈衝光纖雷射器，所述雷射器至少包括：...
《寬禁帶銅銦鎵硒薄膜電池內深能級缺陷機理及表征研究》是依託華東師範大學，由胡小波擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 銅銦鎵硒薄膜太陽能電池具有重要的套用前景，但仍然存在寬禁帶銅銦鎵硒（高鎵含量）電池的效率較低的問題。深能級缺陷是導致其效率低的重要因素之一，而目前關於深能級缺陷導致效率損...
寧波合永電子科技有限公司於2015年10月23日成立。法定代表人胡小波，公司經營範圍包括：交直流電源轉換器、磁性電子元件、電源連線器、鎮流器、電動汽車及配件、家用電器及配件的研究、開發；交直流電源轉換器、磁性電子元件、電源連線器、鎮流器、電動汽車配件、家用電器及配件、計算機及輔助設備、健身器材、充電器、照明...
《電工電子技術基礎實驗》是2009年華中科技大學出版社出版的圖書，作者是操長茂、胡小波。內容簡介 “電工電子技術基礎實驗”是理工科專業學生的一門技術基礎課，針對學生學習電工電子技術課程的差異，教材構建了三級實驗教學體系：基礎訓練實驗、綜合設計實驗、研究創新實驗。本書共3篇：第1篇介紹了電路電工技術實驗；...
台州市寶康水暖器材有限公司 台州市寶康水暖器材有限公司於1995年04月10日成立。法定代表人胡小波，公司經營範圍包括：水暖管道零件、衛生潔具、機車配件、汽車配件製造等。
《升華法生長氮化鋁單晶》是依託山東大學，由胡小波擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 AlN單晶的熱導率大，晶格與GaN失配度小，是大功率GaN器件的理想襯底。利用AlN單晶為襯底材料有利於提高GaN器件的性能。.本研究擬採用升華法，通過自發成核獲得AlN籽晶。在此基礎上，研究生長過程中生長參數如：籽晶溫度、生長...
《大唐仙俠女兒夢》是一部連載於雲中書城的仙俠異俠類小說，作者是楊會超。內容簡介 唐軍剿滅楊廣的子孫,俘虜了楊廣的孫女楊玉環和楊雪琴,準備將兩位少女送給李隆基,李隆基也想娶兩位前朝的公主為貴妃,用來化解兩朝的冤仇。 半路上,遇到大龍劍派的兩個劍俠,還有小孩子胡小波和龍劍七.胡小波遇到空蟬大師,無意中,...
《仙俠妃子大唐女兒夢》是連載於幻劍書盟的綜合其它小說，作者是楓葉心靈。內容簡介 大唐剿滅東突厥和楊廣的子孫,俘虜了楊廣的孫女楊玉環和楊雪琴,準備將兩位少女送給李隆基,李隆基也想娶兩位前朝的公主為貴妃,用來化解兩朝的冤仇。 不想,半路上,遇到大龍劍派的兩個少女少男劍俠,還有小孩子胡小波和龍劍七,胡小波遇到...
《大唐仙劍女兒夢》是一部連載於起點中文網的架空歷史類網路小說，作者是楊會超。內容簡介 唐軍剿滅楊廣的子孫,俘虜了楊廣的孫女楊玉環和楊雪琴,準備將兩位少女送給李隆基,李隆基也想娶兩位前朝的公主為貴妃,用來化解兩朝的冤仇。 半路上,遇到大龍劍派的兩個劍俠,還有小孩子胡小波和龍劍七.胡小波遇到空蟬大師,無意...
vb程式中的語句 《vb程式中的語句》是閬中中學提供的微課課程，主講教師為胡小波。課程簡介 通過創建一個小程式讓學生認識VB界面、在實際操作過程中認識與使用語句；這樣的學習不再枯燥乏味，更容易理解 設計思路 讓學生在實踐中認識程式中的語句。
《仙劍妃子大唐女兒夢》是連載的武俠修真小說，作者是楓葉心靈8。內容簡介 唐軍剿滅楊廣的子孫,俘虜了楊廣的孫女楊玉環和楊雪琴,準備將兩位少女送給李隆基,李隆基也想娶兩位前朝的公主為貴妃,用來化解兩朝的冤仇。 半路上,遇到大龍劍派的兩個劍俠,還有小孩子胡小波和龍劍七.胡小波遇到空蟬大師,無意中,得到蛇劍派的...
孫國勝、楊霏、柏松、許恆宇、李誠瞻、高玉強、馮淦、胡小波、張樂年、房玉龍。主要技術 由於4H-SiC缺陷特別是4H-SiC外延缺陷與常見的其它半導體缺陷形狀、類型、起因因外延生長模式的不同而有所不同或完全不同，而且目前尚未有適用的國家標準和行業標準，因此，為了規範4H-SiC缺陷術語和定義，特制定本標準。本標準...
孫國勝、楊霏、柏松、許恆宇、李誠瞻、高玉強、馮淦、胡小波、張樂年、房玉龍。主要技術 由於4H-SiC缺陷特別是4H-SiC外延缺陷與常見的其它半導體缺陷形狀、類型、起因因外延生長模式的不同而有所不同或完全不同，而且目前尚未有適用的國家標準和行業標準，因此，為了規範4H-SiC缺陷術語和定義，特制定本標準。
孫國勝、李錫光、楊霏、柏松、李誠瞻、高玉強、許恆宇、馮淦、胡小波、張樂年、房玉龍 主要技術 SiC半導體材料以其獨特的優異性能，特別適合製作高壓、超高壓功率器件。10kV級以上高壓/超高壓SiC功率器件多為垂直結構的雙極型器件，如SiC PiN二極體、IGBT及GTO晶閘管等。從結構上看，n溝道IGBT與n溝道MOSFET器件結構類似...
[2]一種基於納米壓印技術製備圖形化藍寶石襯底的方法,陳少強,翁國恩,胡小波, 塗亮亮, 魏明德,授權,[3]一種基於聚合物微球製備納米級圖形化藍寶石襯底的方法,翁國恩,陳少強,胡小波, 塗亮亮, 魏明德,授權,[4]一種多波長GaN基垂直腔面發射雷射器的有源區結構設計,翁國恩, 陳少強, 胡小波, 梅洋,[5]一種多...