《耐熔金屬矽化物薄膜的電子輸運性質實驗研究》是依託復旦大學,由李炳宗擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名:耐熔金屬矽化物薄膜的電子輸運性質實驗研究
- 依託單位:復旦大學
- 項目類別:面上項目
- 項目負責人:李炳宗
- 批准號:68676012
- 申請代碼:F04
- 負責人職稱:教授
- 研究期限:1987-01-01 至 1989-06-01
- 支持經費:3(萬元)
《耐熔金屬矽化物薄膜的電子輸運性質實驗研究》是依託復旦大學,由李炳宗擔任項目負責人的面上項目。
《耐熔金屬矽化物薄膜的電子輸運性質實驗研究》是依託復旦大學,由李炳宗擔任項目負責人的面上項目。項目摘要利用磁誘導光學二次諧波技術及與線性磁光克爾效應的結合,研究了Co在外延生長過程中的表面磁矩變化、外延Fe在Co(001...
7.礦井突水相似模擬實驗數據處理暨三維可視化軟體系統開發(橫向),時間:2011.04-2011.10。二、在研項目:金屬納米顆粒超晶體中的電子輸運性能研究(國家自然基金項目:11304238),時間:2014.01-2016.12。三、科研專利:1. 張顯, 荊西平, 田曙堅, 螢光光譜儀外設組合試樣庫發光性能的測試方法與裝置,發明專利,...
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參與過金屬矽化物及其在SOI上深亞微米MOS器件中的套用、摻鉺矽及自鑲嵌Si/SiO2納米微結構薄膜的光學及輸運性質、金屬與Si及SiGe相互作用等方面的研究工作。目前負責半導體、光學與光電子學領域國家自然科學基金的資助工作,參與了多項重大計畫和重大項目的立項工作。發表論文50餘篇,獲1997年度中國科學院自然科學獎二等...
薄膜電阻材料 薄膜電阻材料是2011年公布的材料科學技術名詞。定義 採用真空蒸鍍、直流或交流濺射、化學沉積等方法製成的厚度一般在0.5~11m以下的膜式電阻材料。有Ni-Co系、Ta系、Si系、金屬陶瓷系電阻膜以及Au-Cr、Ni-P等電阻薄膜。出處 《材料科學技術名詞》。
《耐熔金屬矽化物薄膜的電子輸運性質實驗研究》是依託復旦大學,由李炳宗擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 利用磁誘導光學二次諧波技術及與線性磁光克爾效應的結合,研究了Co在外延生長過程中的表面磁矩變化、外延Fe在Co(001)上磁相變過程及在層間耦合中的表面、Co/Cu多層膜不同界面狀況對巨磁電阻值的影響等,...
當用金屬和陶瓷納米顆粒按其含量逐漸變化的要求混合後燒結成形時,就能達到燃燒室內側耐高溫、外側有良好導熱性的要求。6、納米半導體材料 將矽、砷化鎵等半導體材料製成納米材料,具有許多優異性能。例如,納米半導體中的量子隧道效應使某些半導體材料的電子輸運反常、導電率降低,電導熱係數也隨顆粒尺寸的減小而下降,...
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