羅毅，男，出生於1960年2月，1983年畢業於清華大學無線電電子學系電子物理與雷射專業。清華大學教授，工學博士。
基本介紹
- 中文名：羅毅
- 國籍：中國
- 民族：漢
- 出生日期：1960年
- 職業：教授
- 畢業院校：清華大學
人物經歷,研究方向,主要貢獻,獲獎記錄,
人物經歷
分別於1987年和1990年在日本東京大學工學部電子工學科獲工學碩士與博士學位，1990年4月-1992年3月在日本光計測技術開發株式會社中央研究所任研究員。1992年4月回國，同年因學術成就突出被破格提升為清華大學電子工程系教授，1995年晉升為博士生導師。現擔任集成光電子學國家重點聯合實驗室主任、清華大學實驗區主任(該重點實驗室在2002年由科技部組織的包括計算機、軟體、信息材料與器件等所有36個信息類國家重點實驗室的評估中獲第一名)。曾任國際電機電子工程師學會主辦的量子電子學雜誌編委(Associate Editor of IEEE Journal of Quantum Electronics，1996-1998)，教育部長江特聘教授。
2002年，羅毅教授負責的2500萬元的GaN藍光發光管的研究與開發項目通過了鑑定；建設了包括德國AIXTRON公司MOCVD設備在內的GaN材料與器件研究基地，自行研製的藍色發光二極體獲得突破，15000餘個器件的測試結果表明，器件的典型工作特性與國際上高亮度發光二極體的市場水平基本相當。
2003年，正式在深圳研究生院建立了以羅毅教授為實驗室主任的半導體照明實驗室，主要從事大功率照明用LED的封裝技術研究，從而建成了從晶片外延到器件封裝的一整套研究平台。科技部啟動了半導體照明工程後，羅毅教授被選為專家組成員。
研究方向
羅毅教授主要從事半導體光電子器件方面的研究工作，其中包括器件物理與設計，化合物半導體材料的外延生長技術、全息光柵的製作技術、器件製作工藝技術、材料與器件特性的評價技術。
主要貢獻
近幾年來的研究重點是分布反饋半導體雷射器及單片光子集成器件，是增益耦合DFB雷射器——國際公認的優秀光源的開創者之一，他也是國內最早從事DFB雷射器與電吸收調製器單片集成研究的科學家。
他入選了國家教委首批跨世紀優秀人才計畫、獲得霍英東教育基金會青年教師基金、自然科學基金優秀中青年人才專項基金、自然科學基金傑出青年基金A類項目以及C類項目的資助、作為負責人正在承擔國家自然科學基金重大項目“半導體光子集成基礎研究”子課題“含Bragg光柵反射器的光子集成器件的基礎研究”、“863計畫”項目“10Gbit/s DFB半導體雷射器/電吸收調製器單片光子集成器件”。國家重點實驗室的二次建設項目。作為首席科學家正在主持國家重大基礎研究項目“支撐高速、大容量信息網路系統的光子集成基礎研究”。
共發表各類論文300餘篇，其中有國際著名雜誌論文超過90篇，國際會議論文超過近115篇。獲得40多項專利，包括18項日本專利，一項歐洲專利，一項美國專利，國內專利若干。
獲獎記錄
GaN藍光發光管的研究與開發項目通過了鑑定，獲山東省科技進步一等獎。
