結晶氮化矽膜c:ryslalhne silicon nitride filrt} Si3V;一種晶體結構的絕緣膜。屬六角晶系。禁頻寬度3.9一4.OeV:,密度3 . 4glrm'。介電常數9.4。折射率L.1}。電阻率lfl'n}3.m}腐蝕速率小於f].OZnm/min。採用直接氯化、濺射、低壓化學氣相沉積等方法製取。對鹼金屬原子有強的}fl擋力。用作半導體器件鈍化膜。
氮化矽薄膜,作為增透膜廣泛套用於矽基太陽能電池製造領域,一般通過PECVD等手段生長。
結晶氮化矽膜c:ryslalhne silicon nitride filrt} Si3V;一種晶體結構的絕緣膜。屬六角晶系。禁頻寬度3.9一4.OeV:,密度3 . 4glrm'。介電常數9.4。折射率...
氮化矽(Si3N4)存在有3種結晶結構,分別是α、β和γ三相。α和β兩相是Si3N...由於氮化矽是鍵強高的共價化合物,並在空氣中能形成氧化物保護膜,所以還具有...
但由於該方法製備的C—N膜的結晶仍然較差,且β-C3N4晶體的晶粒尺寸小於10nm,在...太高時,由於濺射效應,在Si基體上除了氮化矽薄膜的生成外,觀察不到氮化碳薄膜的...
矽太陽能電池是指以矽為基體材料的太陽能電池。按矽材料的結晶形態,可分為...(減反射膜),實際工業生產基本都是用化學氣相沉積一層氮化矽膜,厚度在1000A左右...