《納米級場效應電晶體建模與結構最佳化研究》是2017年清華大學出版社出版的圖書，作者靳曉詩、劉溪。
基本介紹
- 書名：納米級場效應電晶體建模與結構最佳化研究
- 作者：靳曉詩、劉溪
- 出版社：清華大學出版社
- 出版時間：2017年07月01日
- 定價：68 元
- ISBN：9787302477792
- 印次：1-1
- 印刷時間：2017.09.29
內容簡介,圖書目錄,
內容簡介
本書是對作者在納米級場效應電晶體領域科研學術成果的系統性論述，具體內容包括納米級場效應電晶體寄生電容模型、傳統納米級金屬氧化物寒凳市半導體場效應電晶體機理模型、新興無結型場效應電晶體機理模型以及無結型場效應電晶體的結構最佳化。在建模的過程中，充分考慮了器件的具體結構和摻雜濃度等參數對器件工作特性的影響，系統地建立了具有雙柵、圍柵等多柵結構的納米級場效應電晶體的機理模型體系，並給出了深納米級尺度下新興無結場效應電晶體的最佳化方案。本書可供材料、電子、精密儀器等專業科研和工程技術人員參考使用。
圖書目錄
第1章 緒論 1
1.1 CMOS超大規模積體電路技術發展與現狀分析 1
1.2 內容概述 12
第2章 納米級體宙厚MOSFETs的寄生電容模型 15
2.1 過往亞微米級寄生電容模型回顧 15
2.1.1 概述 15
2.1.2 幾種常見的寄生電容模型介紹 18
2.2 考慮源漏接觸電極影響的深亞微米寄生電容模型 27
2.2.1 概述 27
2.2.2 柵極側壁電容 (Cside) 28
2.2.3 柵極頂部電容與總寄漿愚生電容 36
2.3 基於精準邊界條件的全解析寄生電容模型 41
2.3.1 概況 41
2.3.2 柵極側壁電容 42
2.3.3 柵極頂部電容與總寄生電容 47
第3章 納米級金屬氧化物半導體場效應電晶體模型 51
3.1 平面單柵極體矽金屬氧化物半導體場效應電晶體模型 51
3.1.1 能帶理論 51
3.1.2 一個平面金屬氧化物半導體電容器的標準模型 57
3.1.3 一個平面單柵極金屬氧化物半導體場效應電晶體器件的標準模型 62
3.2 長溝道未摻雜雙柵金屬氧化物半導體場效應電晶體漏源電流模型 64
3.2.1 概述 64
3.2.2 結構與模型 65
3.2.3 模型驗證 69
3.3 長溝道摻雜雙柵金屬氧化物舉試笑半導體場效應電晶體漏源電流模型 70
3.3.1 概述 70
3.3.2 結構與模型 71
3.3.3 模型驗證 73
3.4 短溝道雙柵金屬氧化物半導體場效應電晶體亞閾值伏安特性模型 77
3.4.1 ...
3.4.1概述 77
3.4.2結構與模型 77
3.4.3模型驗證 81
3.5非對稱短溝道雙柵金屬氧化物半導體場效應電晶體建模 84
3.5.1概述 84
3.5.2結構與模型 85
3.5.3模型驗證 88
3.6長溝道摻雜圍柵金屬氧化物半導體場效應電晶體模型 92
3.6.1概述 92
3.6.2結構與模型 93
3.6.3模型驗證 95
3.7短溝道摻雜圍柵金屬氧化物半導體場效應電晶體模型 99
3.7.1概述 99
3.7.2結構與模型 100
3.7.3模型驗證 104
第墊希旬4章無結型場效應電晶體建模研究 112
4.1長溝道雙柵極無結電晶體模型 112
4.1.1概述 112
4.1.2器件結構和參數說明 112
4.1.3電場與電勢分布模型 113
4.1.4漏源電流模型 116
4.1.5模型驗證 117
4.2長溝道圍柵極無結電晶體模型 123
4.2.1概述 123
4.2.2器件結構和參數說明 124
4.2.3電場與電勢分布模型 124
4.2.4漏源電流模型 126
4.2.5模型驗證 127
4.3基於分離變數法的短溝道對稱雙柵無結電晶體亞閾值模型 131
4.3.1概述 131
4.3.2器件結構和參數說明 132
4.3.3模型建立 132
4.3.4模型驗證 135
4.4基於拋物線法的短溝道對稱雙柵極無結電晶體緊湊亞閾值模型 141
4.4.1概述 141
4.4.2器件結構和參數說明 142
4.4.3模型建立 142
4.4.4模型驗證 145
4.5基於分離變數法的短溝道非對稱雙柵無結型場效應電晶體模型 151
4.5.1概述 151
4.5.2器件結構和參數說明 152
4.5.3模型建立 153
4.5.4模型驗證 155
4.6基於拋物線法的短溝道圍柵無結電晶體緊湊亞閾值模型 163
4.6.1概述 163
4.6.2器件結構和參數說明 164
4.6.3模型建立 164
4.6.4模型驗證 168
第5章納米級無結場效應電晶體的結構最佳化 180
5.1溝道邊緣處柵極氧化物迎滲坑照厚度最佳化方案 180
5.1.1雙柵無結場效應電晶體最佳化 180
5.1.2立體柵無結場效應電晶體最佳化 192
5.2不同介電常數柵極氧化物結合使用最佳化方案 201
5.2.1雙柵無結場效應電晶體最佳化 201
5.2.2立體柵無結場效應電晶體最佳化 205
5.3短溝道最佳化——馬鞍型摺疊只項鴉榆柵無結場效應電晶體 210
第6章結論 220
附錄A共形映射 224
A.1坐標系的變換 224
A.2用複變函數法轉換 227
附錄BSchwarz-Christoffel映射 229
附錄C泊松積分公式 231
參考文獻 233
3.6.1概述 92
3.6.2結構與模型 93
3.6.3模型驗證 95
3.7短溝道摻雜圍柵金屬氧化物半導體場效應電晶體模型 99
3.7.1概述 99
3.7.2結構與模型 100
3.7.3模型驗證 104
第4章無結型場效應電晶體建模研究 112
4.1長溝道雙柵極無結電晶體模型 112
4.1.1概述 112
4.1.2器件結構和參數說明 112
4.1.3電場與電勢分布模型 113
4.1.4漏源電流模型 116
4.1.5模型驗證 117
4.2長溝道圍柵極無結電晶體模型 123
4.2.1概述 123
4.2.2器件結構和參數說明 124
4.2.3電場與電勢分布模型 124
4.2.4漏源電流模型 126
4.2.5模型驗證 127
4.3基於分離變數法的短溝道對稱雙柵無結電晶體亞閾值模型 131
4.3.1概述 131
4.3.2器件結構和參數說明 132
4.3.3模型建立 132
4.3.4模型驗證 135
4.4基於拋物線法的短溝道對稱雙柵極無結電晶體緊湊亞閾值模型 141
4.4.1概述 141
4.4.2器件結構和參數說明 142
4.4.3模型建立 142
4.4.4模型驗證 145
4.5基於分離變數法的短溝道非對稱雙柵無結型場效應電晶體模型 151
4.5.1概述 151
4.5.2器件結構和參數說明 152
4.5.3模型建立 153
4.5.4模型驗證 155
4.6基於拋物線法的短溝道圍柵無結電晶體緊湊亞閾值模型 163
4.6.1概述 163
4.6.2器件結構和參數說明 164
4.6.3模型建立 164
4.6.4模型驗證 168
第5章納米級無結場效應電晶體的結構最佳化 180
5.1溝道邊緣處柵極氧化物厚度最佳化方案 180
5.1.1雙柵無結場效應電晶體最佳化 180
5.1.2立體柵無結場效應電晶體最佳化 192
5.2不同介電常數柵極氧化物結合使用最佳化方案 201
5.2.1雙柵無結場效應電晶體最佳化 201
5.2.2立體柵無結場效應電晶體最佳化 205
5.3短溝道最佳化——馬鞍型摺疊柵無結場效應電晶體 210
第6章結論 220
附錄A共形映射 224
A.1坐標系的變換 224
A.2用複變函數法轉換 227
附錄BSchwarz-Christoffel映射 229
附錄C泊松積分公式 231
參考文獻 233
