《納米材料電化學》是2007年2月1日科學出版社出版的圖書。
基本介紹
- 中文名：納米材料電化學
- 譯者：等
- 出版日期：2007年2月1日
- 語種：簡體中文
- ISBN：7030164903
- 作者：G.霍茲
- 出版社：科學出版社
- 頁數：268頁
- 開本：16
- 品牌：科學出版社
內容簡介,編輯推薦,作者簡介,圖書目錄,
內容簡介
《納米材料電化學》是由國際上多年從事材料電化學研究的幾位知名學者聯合編寫的，主要包括兩部分內容：採用電化學方法製備納米結構材料和這些納米結構材料的電化學性質調控與套用。《納米材料電化學》是對納米材料電化學研究工作近10年來的一個總結，通過本書，讀者對電化學合成納米材料，特別是利用電沉積技術製備納米材料會有深入的了解，因此對從事材料物理和化學研究，尤其是從事材料電化學研究的科研人員是非常有參考價值的。同時，《納米材料電化學》對大專院校的研究生、高年級本科學生來說，無疑也是一本能夠將理論與實際有機結合很緊密的必需的教學參考書，有益於他們更加深入地理解納米材料的合成-微結構-性質三者之間的關係。
編輯推薦
《納米材料電化學》主要論述了納米材料的電化學合成與製備方法以及它們的電化學性質。內容包括電沉積技術合成半導體納米晶、量子點以及超晶格和多層膜；（光）電化學刻蝕法製備多孔半導體（包括多孔矽）；多孔半導體膜的光生電荷及輸運現象；染料敏化光電池；自組裝多層膜的電致、光致變色，發光以及電荷的轉移和輸運。《納米材料電化學》可作為材料科學、套用化學、化學化工以及冶金專業研究生教材，同時也可作為相關專業教師和科研人員的參考書。
作者簡介
作者：(德國)G.霍茲 等 譯者：趙輝 等
圖書目錄
中文版序
譯者的話
原書序
第1章 雜化電化學/化學方法在石墨上合成半導體納米晶
1.1 引言
1.1.1 材料電沉積中的維度控制：技術發展水平
1.1.2 電化學/化學製備半導體量子點
1.2 金屬納米粒子的尺寸選擇性電沉積
1.3 對電化學Volmer-Weber生長過程中粒子尺寸分布的理解
1.4 金屬納米粒子到半導體量子點的轉變
1.4.1 金屬氧化物中間體
1.4.2 金屬氧化物到金屬鹽的轉變與表征
1.5 E/C合成材料的光致發光譜
1.6 E/C合成的量子點的套用舉例：基於新原理的光探測
1.7 結論
參考文獻
第2章 電沉積半導體量子點薄膜
2.1 引言
2.1.1 概述
2.1.2 與納米晶材料表征有關的一些特殊問題
2.2 從DMSO溶液中電沉積厚膜半導體
2.2.1 CdS和CdSe
2.2.2 多種多樣的硫化物和硒化物
2.2.3 CdTe
2.3 超薄膜和分立納米晶的沉積
2.3.1 基底對於非水溶液沉積膜的影響
2.3.2 外延生長
2.3.3 變換半導體
2.3.4 改變基底
2.4 電沉積納米半導體膜的電學表征
2.4.1 掃描探針電流-電壓譜
2.4.2 光電化學光電流譜
2.5 電沉積納米晶半導體膜的潛在套用
參考文獻
第3章 超晶格及多層膜的電沉積
3.1 超晶格及多層膜的背景介紹
3.1.1 概述
3.1.2 在多量子阱中的量子限域
3.1.3 自旋依賴的傳輸現象
3.1.4 層狀納米結構的力學性質
3.2 超晶格和多層膜的電沉積
3.2.1 概述
3.2.2 超晶格和多層膜的單浴及雙浴電沉積
3.2.3 金屬多層膜和超晶格的電沉積
3.2.4 半導體及陶瓷多層膜和超晶格的電沉積
3.3 超晶格和多層膜的表征
3.3.1 X射線衍射
3.3.2 掃描隧道顯微鏡
3.3.3 透射電子顯微鏡
3.4 研究進展及展望
參考文獻
第4章 刻蝕多孔半導體：形成及表征
4.1 引言
4.2 半導體刻蝕機理
4.3 孔的刻蝕機理
4.4 孔刻蝕半導體的回顧
4.4.1 矽
4.4.2 Ⅳ-Ⅳ族材料
4.4.3 Ⅲ-V族材料
4.4.4 Ⅱ-Ⅵ族材料
4.4.5 TiO2
4.5 光電化學表征
4.5.1 阻抗
4.5.2 光電流
4.5.3 發光
4.5.4 多孔半導體中的電子傳輸
4.6 多孔刻蝕半導體的套用
4.7 結論
參考文獻
第5章 納米晶多孔矽的電化學形成及改性
5.1 引言
5.2 納米晶多孔si、Ge、GaAs、GaP、InP的合成
5.3 矽.電解質界面的結性質
5.3.1 矽在HF水溶液中的化學
5.3.2 電化學形成多孔矽
5.4 多孔矽的性質
5.4.1 多孔矽的結構特點
5.4.2 多孔矽的發光性質
5.4.3 多孔矽的電學性質
5.5 多孔矽的電致發光
5.6 電化學功能化
5.7 套用
參考文獻
第6章 納米結構薄膜電極中的電荷傳輸
6.1 引言
6.2 從單晶到量子點
6.3 電荷傳輸過程的限制因素
6.4 schottky勢壘模型的失效
6.5 作用譜分析
6.5.1 技術及定義
6.5.2 有效電荷分離區域
6.6 擴散模型
6.7 雷射脈衝誘導的電流瞬變
6.8 阱的影響
6.9 電解質中的電荷傳輸
6.9.1 液體電解質
6.9.2 “固體電解質”
6.10 強度調製的光電流和光電壓譜
6.11 納米結構中載流子的雙極擴散
6.12 在納米結構半導體-後觸點界面上的電場
6.13 彈道電子傳輸
6.14 納米結構電極的電荷傳輸及套用
6.15 結論
參考文獻
第7章 染料敏化的太陽能電池：工作原理
7.1 染料敏化太陽能電池體系的一般描述
7.1.1 太陽能電池是如何工作的
7.1.2 染料敏化太陽能電池與其他類型的比較
7.2 染料敏化太陽能電池的詳細描述
7.2.1 染料化學及光化學：概述
7.2.2 納米晶半導體膜
7.2.3 電子從染料向TiO，的注入
7.2.4 半導體薄膜多孔納米晶結構的重要性
7.2.5 陷阱及不連續電荷效應
7.2.6 染料的氧化還原電勢以及HOMO能級的重要性
7.3 DSSC的輸出參數
7.3.1 光電流
7.3.2 光電壓
7.3.3 填充因子
7.3.4 DSSC電池的性能
7.4 DSSC 3工作模式的進一步評述
7.5 DSSC的模型化
7.6 液體電解質與固態DSSC的比較
7.7 套用前景
參考文獻
第8章 半導體納米結構分子組裝體的電致變色和光電致變色性質
8.1 引言
8.2 納米結構半導體薄膜的製備與表征
8.2.1 膠體懸液法
8.2.2 電化學沉積
8.2.3 自組裝膜
8.3 光致變色效應
8.4 電致變色效應
8.4.1 納米結構金屬氧化物膜
8.4.2 染料和氧化還原發色團改性的納米結構氧化物膜
8.4.3 表面束縛螢光探針
8.5 結束語
參考文獻
第9章 聚合物電解質、納米粒子和納米片逐層自組裝超薄膜中的電子轉移和電荷存儲
9.1 引言
9.1.1 電子轉移和電荷存儲的重要性
9.1.2 逐層自組裝的原理
9.1.3 評述範圍
9.2 自組裝發光二極體、光致變色和電致變色顯示器
9.2.1 納米結構聚合物薄膜型發光二極體
9.2.2 基於氧化還原聚合物薄膜的發光二極體
9.2.3 光致變色和電致變色顯示器
9.3 自組裝整流二極體
9.3.1 p-n結
9.3.2 Schottky二極體
9.4 單電子導電性-自組裝庫侖堵塞器件
9.5 自組裝多層膜中的光誘導能量和電子轉移
9.6 鋰蓄電池的自組裝電極
9.7 結論和展望
參考文獻
譯者的話
原書序
第1章 雜化電化學/化學方法在石墨上合成半導體納米晶
1.1 引言
1.1.1 材料電沉積中的維度控制：技術發展水平
1.1.2 電化學/化學製備半導體量子點
1.2 金屬納米粒子的尺寸選擇性電沉積
1.3 對電化學Volmer-Weber生長過程中粒子尺寸分布的理解
1.4 金屬納米粒子到半導體量子點的轉變
1.4.1 金屬氧化物中間體
1.4.2 金屬氧化物到金屬鹽的轉變與表征
1.5 E/C合成材料的光致發光譜
1.6 E/C合成的量子點的套用舉例：基於新原理的光探測
1.7 結論
參考文獻
第2章 電沉積半導體量子點薄膜
2.1 引言
2.1.1 概述
2.1.2 與納米晶材料表征有關的一些特殊問題
2.2 從DMSO溶液中電沉積厚膜半導體
2.2.1 CdS和CdSe
2.2.2 多種多樣的硫化物和硒化物
2.2.3 CdTe
2.3 超薄膜和分立納米晶的沉積
2.3.1 基底對於非水溶液沉積膜的影響
2.3.2 外延生長
2.3.3 變換半導體
2.3.4 改變基底
2.4 電沉積納米半導體膜的電學表征
2.4.1 掃描探針電流-電壓譜
2.4.2 光電化學光電流譜
2.5 電沉積納米晶半導體膜的潛在套用
參考文獻
第3章 超晶格及多層膜的電沉積
3.1 超晶格及多層膜的背景介紹
3.1.1 概述
3.1.2 在多量子阱中的量子限域
3.1.3 自旋依賴的傳輸現象
3.1.4 層狀納米結構的力學性質
3.2 超晶格和多層膜的電沉積
3.2.1 概述
3.2.2 超晶格和多層膜的單浴及雙浴電沉積
3.2.3 金屬多層膜和超晶格的電沉積
3.2.4 半導體及陶瓷多層膜和超晶格的電沉積
3.3 超晶格和多層膜的表征
3.3.1 X射線衍射
3.3.2 掃描隧道顯微鏡
3.3.3 透射電子顯微鏡
3.4 研究進展及展望
參考文獻
第4章 刻蝕多孔半導體：形成及表征
4.1 引言
4.2 半導體刻蝕機理
4.3 孔的刻蝕機理
4.4 孔刻蝕半導體的回顧
4.4.1 矽
4.4.2 Ⅳ-Ⅳ族材料
4.4.3 Ⅲ-V族材料
4.4.4 Ⅱ-Ⅵ族材料
4.4.5 TiO2
4.5 光電化學表征
4.5.1 阻抗
4.5.2 光電流
4.5.3 發光
4.5.4 多孔半導體中的電子傳輸
4.6 多孔刻蝕半導體的套用
4.7 結論
參考文獻
第5章 納米晶多孔矽的電化學形成及改性
5.1 引言
5.2 納米晶多孔si、Ge、GaAs、GaP、InP的合成
5.3 矽.電解質界面的結性質
5.3.1 矽在HF水溶液中的化學
5.3.2 電化學形成多孔矽
5.4 多孔矽的性質
5.4.1 多孔矽的結構特點
5.4.2 多孔矽的發光性質
5.4.3 多孔矽的電學性質
5.5 多孔矽的電致發光
5.6 電化學功能化
5.7 套用
參考文獻
第6章 納米結構薄膜電極中的電荷傳輸
6.1 引言
6.2 從單晶到量子點
6.3 電荷傳輸過程的限制因素
6.4 schottky勢壘模型的失效
6.5 作用譜分析
6.5.1 技術及定義
6.5.2 有效電荷分離區域
6.6 擴散模型
6.7 雷射脈衝誘導的電流瞬變
6.8 阱的影響
6.9 電解質中的電荷傳輸
6.9.1 液體電解質
6.9.2 “固體電解質”
6.10 強度調製的光電流和光電壓譜
6.11 納米結構中載流子的雙極擴散
6.12 在納米結構半導體-後觸點界面上的電場
6.13 彈道電子傳輸
6.14 納米結構電極的電荷傳輸及套用
6.15 結論
參考文獻
第7章 染料敏化的太陽能電池：工作原理
7.1 染料敏化太陽能電池體系的一般描述
7.1.1 太陽能電池是如何工作的
7.1.2 染料敏化太陽能電池與其他類型的比較
7.2 染料敏化太陽能電池的詳細描述
7.2.1 染料化學及光化學：概述
7.2.2 納米晶半導體膜
7.2.3 電子從染料向TiO，的注入
7.2.4 半導體薄膜多孔納米晶結構的重要性
7.2.5 陷阱及不連續電荷效應
7.2.6 染料的氧化還原電勢以及HOMO能級的重要性
7.3 DSSC的輸出參數
7.3.1 光電流
7.3.2 光電壓
7.3.3 填充因子
7.3.4 DSSC電池的性能
7.4 DSSC 3工作模式的進一步評述
7.5 DSSC的模型化
7.6 液體電解質與固態DSSC的比較
7.7 套用前景
參考文獻
第8章 半導體納米結構分子組裝體的電致變色和光電致變色性質
8.1 引言
8.2 納米結構半導體薄膜的製備與表征
8.2.1 膠體懸液法
8.2.2 電化學沉積
8.2.3 自組裝膜
8.3 光致變色效應
8.4 電致變色效應
8.4.1 納米結構金屬氧化物膜
8.4.2 染料和氧化還原發色團改性的納米結構氧化物膜
8.4.3 表面束縛螢光探針
8.5 結束語
參考文獻
第9章 聚合物電解質、納米粒子和納米片逐層自組裝超薄膜中的電子轉移和電荷存儲
9.1 引言
9.1.1 電子轉移和電荷存儲的重要性
9.1.2 逐層自組裝的原理
9.1.3 評述範圍
9.2 自組裝發光二極體、光致變色和電致變色顯示器
9.2.1 納米結構聚合物薄膜型發光二極體
9.2.2 基於氧化還原聚合物薄膜的發光二極體
9.2.3 光致變色和電致變色顯示器
9.3 自組裝整流二極體
9.3.1 p-n結
9.3.2 Schottky二極體
9.4 單電子導電性-自組裝庫侖堵塞器件
9.5 自組裝多層膜中的光誘導能量和電子轉移
9.6 鋰蓄電池的自組裝電極
9.7 結論和展望
參考文獻
