納米圖像電子束曝光系統是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2014年12月23日啟用。
基本介紹
- 中文名:納米圖像電子束曝光系統
- 產地:捷克
- 學科領域:物理學、材料科學
- 啟用日期:2014年12月23日
- 所屬類別:分析儀器 > 光譜儀器 > 圓二色光譜儀
納米圖像電子束曝光系統是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2014年12月23日啟用。
納米圖像電子束曝光系統是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2014年12月23日啟用。技術指標解析度:1 nm 元素分析範圍:Be (4) -Am (95)。1主要功能表面形貌成像,元素含量半定量分析,納米圖像電...
電子束曝光是利用電子束在塗有感光膠的晶片上直接描畫或投影複印圖形的技術,它的特點是解析度高(極限解析度可達到3~8nm)、圖形產生與修改容易、製作周期短。它可分為掃描曝光和投影曝光兩大類,其中掃描曝光系統是電子束在工件面上...
NBL 電子束曝光機是一款基於 SEM 電子束曝光系統的直寫設備,如圖 1所示,它主要由主機、邏輯電路、高壓電櫃、觸摸控制四個部分組成。NBL 的電子光學曝光部分如圖 2所示,主要包括電子槍、聚光鏡、電子偏轉部分。它採用的是熱場發射電子...
電子束光刻基本上分兩大類,一類是大生產光掩模版製造的電子束曝光系統,另一類是直接在基片上直寫納米級圖形的電子束光刻系統。電子束光刻技術起源於掃描電鏡,最早由德意志聯邦共和國杜平根大學的G.Mollenstedt等人在20世紀60年代提出。
2.1電子束曝光系統組成44 2.1.1電子槍45 2.1.2透鏡系統46 2.1.3電子束偏轉系統47 2.2電子束曝光系統的分類48 2.2.1掃描模式48 2.2.2束形成49 2.3電子束抗蝕劑51 2.3.1電子束抗蝕劑的性能指標51 2.3.2電子束抗...
總共價值1億多元;建立了國內最早的納米加工實驗平台:裝備了解析度30nm的JEOL JBX-5000LS電子束光刻系統,解析度350nm的MEBES 4700電子束製版系統,JBX-6AII電子束製版系統,光學製版系統,反應離子刻蝕機,電子束鍍膜系統,光學曝光機等先進加工...
幾乎所有的光學材料對13.5nm波長的極紫外光都有很強的吸收,因此,EUV光刻機的光學系統只有使用反光鏡。極紫外光刻的實際套用比原先估計的將近晚了10多年。基本介紹 EUV光刻採用波長為10-14納米的極紫外光作為光源,可使曝光波長一下...
電子束抗蝕劑是套用於電子束光刻的抗蝕劑,電子束光刻套用範圍非常廣泛。用於電子束掩模曝光系統的抗蝕劑要求靈敏度高,曝光速度快,解析度大體在100nm左右,用於納米直寫光刻用的電子束抗蝕劑主要要求高解析度,曝光10nm量級的結構。但是...
電子束曝光系統(electron beam lithography, EBL,又稱電子束曝光系統)是一種利用電子束在工件面上掃描直接產生圖形的裝置。由於SEM、STEM及FIB的工作方式與電子束曝光機十分相近,美國JC Nabity Lithography Systems公司是最早研發了基於...