《納米半導體薄膜材料微結構和物性的研究》是依託北京航空航天大學，由何宇亮擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：納米半導體薄膜材料微結構和物性的研究
- 依託單位：北京航空航天大學
- 項目負責人：何宇亮
- 項目類別：面上項目
- 批准號：19374009
- 申請代碼：A20
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：1994-01-01 至 1996-12-31
- 支持經費：7（萬元）
項目摘要
使用HREM及STM技術觀測了微晶粒及界面區的結構，發現在微晶粒的邊界存在如同體單晶矽的位錯、層錯和孿晶。尤其在界面區呈現出較多的環狀原子團，說明它具有特殊的短程有序性。納米矽膜具有高電導特徵，經理論分析表明高電導主要來自於晶粒，界面可近似視為絕緣層。這樣，只具有幾個nm大小的微晶粒顯示出量子點特徵。提出了異質結量子隧穿模型介釋了其高電導特性，並給出—完整的電導率表達式。使用薄層納米矽膜製成隧道二極體結構，在液氮溫度範圍（～77K）呈現出量子振盪現象，是我們的一個重要發現。納米矽膜在可見光及紅外區具有高的光吸收係數。對某些特定結構的矽膜（Xc＜30%,d≤3.5nm）在650-750nm範圍能發射出可見的PL譜和EL譜。
