《新型微納米結構氧化物半導體的雷射直接製版材料》是依託中國科學院理化技術研究所，由孫承華擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：新型微納米結構氧化物半導體的雷射直接製版材料
- 項目類別：青年科學基金項目
- 項目負責人：孫承華
- 依託單位：中國科學院理化技術研究所
- 負責人職稱：副研究員
- 批准號：60808022
- 研究期限：2009-01-01 至 2011-12-31
- 申請代碼：F0509
- 支持經費：21（萬元）
項目摘要
免處理雷射直接製版材料是數位化製版材料發展的重要趨勢。本文構想將微納米複合結構氧化物半導體具有光致浸潤性變化這一特性，巧妙地套用於製版材料領域中，可以作為一種新型的具有環保特性的雷射直接製版材料。本項目利用低溫溶劑熱法製備具有微/納米複合結構的氧化物半導體薄膜，研究其光致浸潤性的改變以及對光的回響速度，並探索其循環使用的可能性，為該類半導體材料在新型印刷材料的套用奠定基礎。本項目預計發表文章4～6篇，申請2項以上的專利。
