紅外半導體雷射材料是指輻射波長位於紅外波段的半導體雷射材料。從0.7μm波段始都屬於這一類。如0.78~ 0.85μm的GaAIAs材料，1.3μm、1.5μm等石英光纖通信用的雷射器材料。
基本介紹
- 中文名：紅外半導體雷射材料
- 外文名：IR semiconductor laser materials
- 學科：材料工程
- 領域：工程技術
簡介,分類,套用,雷射紅外燈,半導體雷射,半導體雷射器,
簡介
紅外半導體雷射材料是指輻射波長位於紅外波段的半導體雷射材料。
分類
從0.7μm波段始都屬於這一類。如0.78~ 0.85μm的GaAIAs材料，1.3μm、1.5μm等石英光纖通信用的雷射器材料。從2.0μm波段開始，直到已獲得的最長波段43μm材料分為兩類：
(1)GaSb基及InAs基的Ⅲ-V族化合物半導體，其覆蓋波段為2~4μm。
(2)IN-VI族鉛鹽半導體，覆蓋3~30μm波段。
套用
因紅寶石為三能級系統，故雷射閾值較高，但貯能大，所以在雷射領域內套用還很普遍。尤其適用於大能量高功率雷射器件，作雷射探針分析儀，雷射對半導體的熱處理和長距離測距儀(如地-月測距)等。
雷射紅外燈
雷射，最國中文名叫做“鐳射”、“萊塞”，英文名叫做LASER，意思是“受激輻射的光放大”，雷射的英文全名(Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation)已完全表達了製造雷射的全過程，1964年我國著名科學家錢學森建議將“光受激發射”改稱雷射。
A 方向性：雷射器發射的光，是朝一個方向射出，光束的發散角小，接近於理想平行光。B 單色性：雷射的光譜寬度非常的小，是幾個納米量級。所以其具有良好的單色性光源。C 亮度高，能量密度大。
半導體雷射
半導體雷射（Semiconductor laser）在1962年被成功激發，在1970年實現室溫下連續輸出。後來經過改良，開發出雙異質接合型雷射及條紋型構造的雷射二極體（Laser diode）等，廣泛使用於光纖通信、光碟、雷射印表機、雷射掃描器、雷射指示器（雷射筆），是生產量最大的雷射器。
半導體雷射器
雷射器有固體雷射器(如紅寶石雷射器。將光能轉化光能，波長不一樣)、氣體雷射器(如，二氧化碳雷射器)、化學雷射器(化學能轉化為光能)、半導體雷射器(電能轉化為光能)。雷射紅外燈屬於半導體雷射器是利用半導體材料，在空穴和電子複合的過程中電子能級的降低而釋放出光子來產生光能的，然後光子在諧振腔間產生諧振規範光子的傳播方向而形成雷射。
半導體雷射器的尺寸小，雷射器的尺寸在毫米量級，發光晶片在百微米量級；半導體雷射器電能到光能的轉化效率高，電光轉換效率至少80%， LED燈電光轉換率最高只能達到20%。
