《第一性原理研究相變材料C-Ge-Sb-Te及CGeSbTe/TiN器件界面》是依託鄭州大學，由夏夢姣擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：第一性原理研究相變材料C-Ge-Sb-Te及CGeSbTe/TiN器件界面
- 項目類別：青年科學基金項目
- 項目負責人：夏夢姣
- 依託單位：鄭州大學
- 批准號：11604301
- 申請代碼：A2001
- 負責人職稱：講師
- 研究期限：2017-01-01 至 2019-12-31
- 支持經費：22（萬元）
項目摘要
相變存儲器（PCRAM）在高速、海量存儲等方面具有巨大潛力，有望成為下一代非易失性存儲技術的解決方案，相變材料作為PCRAM的核心部分而受到關注。新型相變材料C-Ge-Sb-Te由於其高保持力、低功耗等特點逐步進入40 nm工藝PCRAM工程化進程。然而，對該材料晶態/非晶態結構、結晶過程及相變機理的研究一直沒有得到解決。本項目利用第一性原理密度泛函和分子動力學模擬方法相結合的方式開展對C-Ge-Sb-Te材料的相變機理研究。一方面，通過模擬在外加熱場作用下，分析觀察材料原子結構及電子分布的變化，探索新型相變材料可逆相變機理；另一方面，研究PCRAM器件單元中相變材料C-Ge-Sb-Te與電極的界面相互作用，研究其在熱場作用下原子擴散和能帶排布的規律。本項目的實施不僅有助於理解C-Ge-Sb-Te材料相變機理，最佳化相變器件結構設計，最終為提升PCRAM性能提供參考依據。
