《立方氮化硼的低壓合成及其相變機理的研究》是依託北京科技大學,由徐曉偉擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名:立方氮化硼的低壓合成及其相變機理的研究
- 依託單位:北京科技大學
- 項目負責人:徐曉偉
- 項目類別:面上項目
- 批准號:59972003
- 申請代碼:E0203
- 負責人職稱:教授
- 研究期限:2000-01-01 至 2002-12-31
- 支持經費:14(萬元)
《立方氮化硼的低壓合成及其相變機理的研究》是依託北京科技大學,由徐曉偉擔任項目負責人的面上項目。
《立方氮化硼的低壓合成及其相變機理的研究》是依託北京科技大學,由徐曉偉擔任項目負責人的面上項目。項目摘要立方氮化硼目前是用高溫高壓方法合成的,實現立方氮化硼的低壓合成將顯著地降低其合成成本,若能實現立方氮化硼的常壓合成將...
化學氣相合成法 1979年Sokolowski成功利用脈衝電漿技術在低溫低壓下製備成立方氮化硼(CBN)膜。所用設備簡單,工藝易於實現,因此得到迅速發展。已出現多種氣相沉積方法。傳統來講主要是指熱化學氣相沉積。實驗裝置一般由耐熱石英管和加熱裝置組成,基體既可以通過加熱爐加熱(熱壁CVD),也可以通過高頻感應加熱(冷壁...
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《高性能立方氮化硼薄膜製備過程中的基礎研究》是依託浙江大學,由楊杭生擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 立方氮化硼(cBN)薄膜的硬度高、熱傳導性好、化學穩定性好,並且具有理想的高溫半導體器件所需的6.4eV的禁頻寬度、簡單易行的p型和n型摻雜,因此備受研究者的關注。本申請簡述了目前國內外cBN薄膜研究的...
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