《高性能立方氮化硼薄膜製備過程中的基礎研究》是依託浙江大學，由楊杭生擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：高性能立方氮化硼薄膜製備過程中的基礎研究
- 依託單位：浙江大學
- 項目負責人：楊杭生
- 項目類別：面上項目
- 批准號：50772096
- 申請代碼：E0203
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2008-01-01 至 2010-12-31
- 支持經費：30（萬元）
項目摘要
立方氮化硼(cBN)薄膜的硬度高、熱傳導性好、化學穩定性好，並且具有理想的高溫半導體器件所需的6.4eV的禁頻寬度、簡單易行的p型和n型摻雜，因此備受研究者的關注。本申請簡述了目前國內外cBN薄膜研究的方向與進展，製備技術的現狀和存在的問題。結合申請者多年來以低壓氣相生長cBN薄膜的研究經驗。提出了在成核與生長階段用原子氯進行選擇性化學刻蝕非立方相氮化硼，以抑制非立方相氮化硼初期層的形成、控制其界面結構，在矽襯底上製備高立方相純度cBN薄膜的方法。本項目將系統研究離子轟擊和氯原子實時化學選擇性刻蝕非立方相氮化硼的相互作用機理，並在薄膜生長過程中進行實時摻雜、合成p型與n型摻雜的cBN半導體薄膜與cBN薄膜p-n結二極體、討論其摻雜機理。本研究對解析cBN薄膜生長過程中的成核與生長機理、實時p型與n型摻雜的機理、高純度cBN薄膜的合成、界面控制、及其對cBN薄膜的套用都具有重要意義。
