穿通孔

穿通孔構造簡單且旋緊部強度高並具有耐久性，同時將小徑管與大徑管可更確實地加以連線保持且具有良好的外觀性。

基本介紹

• 中文名：穿通孔
• 特點：緊部強度高並具有耐久性

構造介紹

構造簡單且旋緊部強度高並具有耐久性旋，同時將小徑管與大徑管可更確實地加以連線保持且具有良好的外觀性，包括具有小徑管保持孔及山狀台階部及切割部及螺栓穿通孔、的切割鍔部、的旋緊襯套，以及具備大徑管保持部及穿通部的旋緊襯套收容部及山狀齒合面及螺栓座部及螺栓穿通部的保持件本體，以及旋緊螺栓及旋緊螺帽。

特徵介紹

在將大徑管與小徑管加以連線保持的裝置中，其特徵在於，包括：具有小徑管保持孔，及在上述小徑管保持孔的一側的外側圓周面延設於筒方向的複數條山狀台階部，及形成於上述山狀台階部另一側的小徑管保持孔的切割部，及在上述切割部的兩側對向所形成的螺栓穿通孔的切割鍔部的旋緊襯套 ，具備將大徑管的端部外周套合保持於一側而形成的大徑管保持部，及在大徑管保持部的筒方向的另一側收容旋緊襯套且穿通被保持於該旋緊襯套的小徑管保持部的小徑管的穿通部的旋緊襯套收容部，及在相當於上述旋緊襯套收容部的內周面的旋緊襯套的山狀台階部的位置使齒合於該山狀台階部而形成的山狀齒合面，及對應上述旋緊襯套的螺栓穿通孔的位置所形成的螺栓座部及螺栓穿通孔的保持件本體，以及自上述保持件本體的螺栓座部經旋緊襯套的螺栓穿通孔並經保持件本體的螺栓穿通部所穿設的旋緊螺栓，及與上述旋緊螺栓相螺著以壓住旋緊襯套的切割鍔部以旋緊被保持於其小徑管保持部的小徑管，同時將上述旋緊襯套的小徑管保持部外周的山狀台階部移動於圓周方向以壓住於上述保持件本體的山狀齒合面的旋緊螺帽。

相關概念的解釋

穿通孔：PlatingThroughHole簡稱PTH，這是最常見到的一種，你只要把PCB拿起來對著燈光，可以看到亮光的孔就是通孔。這也是最簡單的一種孔，因為製作的時候只要使用鑽頭或雷射直接把電路板做全鑽孔就可以了，費用也就相對較便宜。可是相對的，有些電路層並不需要連線這些通孔，比如說我們有一棟六層樓的房子，我買了它的三樓跟四樓，我想要在內部設計一個樓梯只連線三樓跟四樓之間就可以，對我來說四樓的空間無形中就被原本的一樓連線到六樓的樓梯給多用掉了一些空間。所以通孔雖然便宜，但有時候會多用掉一些PCB的空間。

盲孔：BlindViaHole，將PCB的最外層電路與鄰近內層以電鍍孔連線，因為看不到對面，所以稱為盲通。為了增加PCB電路層的空間利用，應運而生盲孔製程。這種製作方法就需要特別注意鑽孔的深度(Z軸)要恰到好處，不可此法經常會造成孔內電鍍困難所以幾乎以無廠商採用；也可以事先把需要連通的電路層在個別電路層的時候就先鑽好孔，最後再黏合起來，可是需要比較精密的定位及對位裝置。

埋孔：Buriedhole，PCB內部任意電路層的連線但未導通至外層。這個製程無法使用黏合後鑽孔的方式達成，必須要在個別電路層的時候就執行鑽孔，先局部黏合內層之後還得先電鍍處理，最後才能全部黏合，比原來的通孔及盲孔更費工夫，所以價錢也最貴。這個製程通常只使用於高密度(HDI)電路板，來增加其他電路層的可使用空間。

穿通孔在銅互連工藝的套用

使用原子層沉積(ALD)技術沉積阻擋層和銅的無種籽層電鍍是目前銅互連技術的研究熱點。在當前的銅互連工藝中，擴散阻擋層和銅種籽層都是通過PVD工藝製作。但是當晶片的特徵尺寸變為45nm或者更小時，擴散阻擋層和銅種籽層的等比例縮小將面臨嚴重困難。首先，種子層必須足夠薄，這樣才可以避免在高縱寬比結構上沉積銅時出現頂部外懸結構，防止產生空洞；但是它又不能太薄。其次，擴散層如果減薄到一定厚度，將失去對銅擴散的有效阻擋能力。還有，相對於銅導線，阻擋層橫截面積占整個導線橫截面積的比例變得越來越大。但實際上只有銅才是真正的導體。例如，在65nm工藝時，銅導線的寬度和高度分別為90nm和150nm，兩側則分別為10nm。這意味著導線中實際上只有8400nm2用於導電，效率僅為62.2%。

目前最有可能解決以上問題的方法是ALD和無種籽電鍍。使用ALD技術能夠在高深寬比結構薄膜沉積時具有100%台階覆蓋率，對沉積薄膜成份和厚度具有出色的控制能力，能獲得純度很高質量很好的薄膜。而且，有研究表明：與PVD阻擋層相比，ALD阻擋層可以降低導線電阻。因此ALD技術很有望會取代PVD技術用於沉積阻擋層。不過ALD目前的缺點是硬體成本高，沉積速度慢，生產效率低。