《穩態強磁場下STM/STS圖像的數值計算模擬》是依託中國科學院合肥物質科學研究院，由楊曉萍擔任項目負責人的聯合基金項目。
基本介紹
- 項目名稱：穩態強磁場下STM/STS圖像的數值計算模擬
- 批准號：U1632162
- 項目類別：聯合基金項目
- 申請代碼：A3205
- 項目負責人：楊曉萍
- 負責人職稱：研究員
- 依託單位：中國科學院合肥物質科學研究院
- 研究期限：2017-01-01 至 2019-12-31
- 支持經費：50（萬元）
項目摘要
目前穩態強磁場中心已經實現在27 T強場下的STM成像。這就對強磁場下材料STM/STS圖像的計算和理論分析提出了要求。當前，第一性原理方法在強磁場下的套用還有很多方法上的問題沒有解決。基於在密度泛函計算和最大局域化瓦尼爾函式套用方面的經驗，本項目擬發展具有第一性原理精度的強磁場下STM/STS圖像模擬的新框架。以拓撲絕緣體Bi2Se3為研究對象，擬展開以下研究：(1)通過最大局域化瓦尼爾函式計算，得到基於第一性原理計算的無磁場下的有效哈密頓參數。(2)採用微擾展開方法引入強磁場效應，把磁場中的哈密頓參數展開為無磁場時的哈密頓參數，以及磁場相關的相因子的組合。進一步在哈密頓中引入自旋-軌道耦合修正。(3)基於獲得的磁場下的三維體結構和二維表面的哈密頓參數，使用疊代方法計算出半無限表面格林函式和表面局域態密度，通過Tersoff-Hamann近似得到拓撲絕緣體Bi2Se3表面的STM/STS圖像。
