積體電路版圖基礎

《積體電路版圖基礎》是2006年10月清華大學出版社出版的圖書，作者是（美）塞因特。

基本介紹

• 書名：積體電路版圖基礎
• 作者：（美）塞因特
• ISBN：9787302133711
• 出版社：清華大學出版社
• 出版時間：2006年10月1日
• 開本：16開

內容簡介

該書在介紹版圖設計的同時說明了為什麼要這樣設計，使讀者知其然，知其所以然。

《積體電路版圖基礎：實用指南》(翻譯版)的一個突出特點是：《積體電路版圖基礎：實用指南》(翻譯版)內容的重點是版圖設計的基礎知識，對於新入行的從業者，這是一個良好的開端；對於有經驗的設計者，則可作為對設計經驗的回味和思考。

目錄

第1章 電路基礎理論1

1.1內容提要1

1.2引言1

1.3基本電路回顧2

1.3.1同性相斥，異性相吸2

1.3.2基本單位3

1.3.3串聯公式4

1.3.4並聯公式4

1.3.5歐姆定律4

1.3.6基爾霍夫定律5

1.3.7電路單元符號7

1.4導體、絕緣體和半導體8

1.5半導體材料9

1.5.1N型材料11

1.5.2P型材料12

1.6PN結13

1.6.1勢壘13

1.6.2通過勢壘的電流14

1.6.3二極體16

1.6.4二極體套用17

1.7半導體開關18

1.7.1一個燈開關的例子18

1.8場效應19

1.8.1場效應電晶體21

1.9開關隔離22

1.10增強型器件和耗盡型器件24

1.11互補型開關26

1.12N阱和襯底接觸27

1.13邏輯電路27

1.13.1用電壓表示邏輯狀態28

1.13.2CMOS邏輯電路28

1.13.3與非門31

1.13.4或非門31

結束語33

本章學過的內容34

套用練習34

第2章 矽加工工藝39

2.1內容提要39

2.2引言39

2.3積體電路版圖40

2.3.1基本矩形41

2.4矽晶圓製造42

2.5摻雜45

2.5.1離子注入46

2.5.2擴散46

2.6生長材料層47

2.6.1外延47

2.6.2化學氣相沉積48

2.6.3氧化層生長50

2.6.4濺射50

2.6.5蒸發50

2.7去除材料層51

2.8光刻51

2.9晶片製造53

2.9.1下凹圖形的加工53

2.9.2凸起圖形的加工55

2.9.3平坦化57

2.9.4作為掩模的二氧化矽57

2.10自對準矽柵58

結束語61

本章學過的內容62

第3章 CMOS版圖93

3.1內容提要93

3.2引言93

3.3器件尺寸設計94

3.3.1SPICE94

3.3.2大尺寸器件的設計97

3.4源漏區共用102

3.5器件連線技術105

3.6緊湊型版圖108

3.7棒狀圖109

3.8阱連線和襯底連線115

3.8.1阱連線布局117

3.9天線效應119

3.10多晶矽引線122

3.11圖形關係123

結束語125

本章學過的內容125

套用練習125

第4章 電阻129

4.1內容提要129

4.2引言129

4.3電阻概述130

4.4電阻的測量131

4.4.1寬度和長度131

4.4.2方塊的概念132

4.4.3每方歐姆135

4.5多晶矽電阻公式139

4.5.1基本電阻器版圖140

4.5.2接觸電阻142

4.5.3改變體材料151

4.6實際電阻分析155

4.6.1接觸區誤差155

4.6.2體區誤差155

4.6.3頭區誤差156

4.6.4擴展電阻158

4.6.5總電阻方程161

4.7實際的最小電阻尺寸162

4.8特殊要求的電阻163

4.8.1大電阻?低精度163

4.8.2小電阻?高精度166

4.9設計的重要依據——電流密度166

4.10版圖誤差分析171

4.10.1電阻器誤差的來源171

4.10.2誤差要求171

4.11基本材料的復用172

4.12擴散電阻和多晶矽電阻的比較175

4.12.1雙層多晶矽176

4.12.2Bipolar/BiCMOS176

結束語176

本章學過的內容177

套用練習177

第5章 電容183

5.1內容提要183

5.2引言183

5.3電容概述184

5.3.1電容器的特性184

5.4電容值計算187

5.4.1表面電容188

5.4.2邊緣電容189

5.5N阱電容器191

5.5.1寄生電容193

5.6金屬電容器194

5.6.1疊層金屬電容器195

5.6.2氮化物介質電容器195

結束語196

本章學過的內容196

第6章 雙極型電晶體197

6.1內容提要197

6.2引言197

6.3工作原理198

6.3.1基本結構198

6.3.2NPN電晶體工作原理200

6.4縱向工藝203

6.4.1FET和NPN電晶體的開關特性比較203

6.4.2層的結構204

6.5NPN管的寄生效應206

6.6PNP電晶體207

6.6.1橫向PNP管207

6.7雙極型電晶體版圖與CMOS版圖的區別209

6.7.1設計規則的數量209

6.7.2黑匣子式的布局211

結束語211

本章學過的內容212

第7章 二極體213

7.1內容提要213

7.2引言213

7.3二極體的種類213

7.3.1基本二極體214

7.3.2由雙極型電晶體構造的二極體214

7.3.3變容二極體217

7.4ESD保護218

7.5特殊版圖結構222

7.5.1圓形版圖222

7.5.2梳狀結構二極體版圖223

結束語223

本章學過的內容224

第8章 電感225

8.1內容提要225

8.2引言225

8.3基本電感226

8.4傳輸線228

8.4.1直線特性228

8.4.2拐角特徵化229

8.5螺旋電感231

8.6電感品質因子232

8.7疊層電感232

8.7.1射頻扼流圈234

8.8鄰近效應236

結束語237

本章學過的內容238

術語239

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培訓項目257