磷化銦單晶。

磷化銦單晶是周期系第Ⅲ、V族化合物半導體。化學分子式為InP。共價鍵結合，有一定的離子鍵成分。屬閃鋅礦型結構，為複式晶格，晶格常數是0.58688nm。

基本介紹

• 中文名：磷化銦單晶
• 外文名：indium phosphide single crystal
• 屬於：周期系第Ⅲ、V族化合物半導體
• 化學分子式：InP
• 結合鍵：共價鍵
• 晶型：閃鋅礦型結構

特點

第一布里淵區為截角八面體，導帶極小值位於布里淵區中心，電子有效質量為0.077m，m為電子慣性質量；價帶極大值位於布里淵區中心，空穴有效質量約0.8m，是直接帶隙半導體。室溫時，禁頻寬度為1.34eV。較純晶體電子和空穴遷移率分別為0.46m2/(V·S)和1.5×10^-2m²/(V·S)。摻入II族、IV族或Ⅵ族原子可製成P型或n型材料。本徵載流子濃度1.0×10²⁰/m³，本徵電阻率8×10^-4Ω·m。590nm光的折射率為3.45。其熔點1070℃，可用區域熔煉或直拉法製備單晶；用擴散、離子注入、外延、蒸發等方法製備p-n結、異質結、肖特基結；用分子束外延、金屬有機物化學氣相澱積方法可製備超晶格材料。是製備長波長(1.3～1.6μm)InGaAsP雷射器的襯底材料。

主要用途

InP已經成為非常重要的半導體材料之一，主要套用於光電子技術和微波技術領域，而另一大有發展前途的套用領域是太陽能動力技術。

製備方法

磷化銦單晶的製備操作步驟包括如下兩道：

(1)合成磷化銦多晶。合成操作是讓高純的磷蒸氣與熔融高純銦直接發生作用，多採用水平定向結晶法和區域熔煉法。

(2)製備摻雜磷化銦單晶。一般採用高壓溶液提拉法，是將盛有磷化銦多晶的石英坩堝置於高壓設備內進行，用電阻絲或高頻加熱，惰性氣體保護(壓力3×10⁶Pa)下讓晶體生長。為了提高InP單晶質量，降低位錯密度，可通過摻雜(如Sn、S、Zn、Fe、Ga、Sb等)以減少位錯。摻雜是往多晶中放人中間摻人物，使之在熔融和結晶過程中得予擴散實現。

安全信息

危險信息：

1． 易燃

2． 易爆

3． 刺激眼睛、燒傷皮膚致皮炎

防護措施：

1． 通風，尾氣濾毒

2． 穿戴使用防毒護晶(具)

3． 避禁忌物和禁忌

4． 磷須由專人保管，嚴格控制使用量

5． 高壓單晶爐一旦處於工作狀態，必須加上高壓爐門

6． 定期更換高壓密封羅母線

7． 廢磷必須放入不鏽鋼廢物桶，並且桶內加水

8． 已經填封好的磷泡，必須存放在鐵皮櫃內，放置平穩，避免互相碰撞，鐵皮櫃儘量密封，防止外界空氣進入。