磷化銦上砷化鎵_中文百科全書

磷化銦上砷化鎵，採用外延方法將磷化銦基器件生長在砷化鎵襯底上製成的材料。結合磷化銦基器件高速、高頻或光電優勢和砷化鎵襯底相對低價、高力學強度優點，有利於實現光電集成。形成的異質結之間存在高達4%的晶格失配，外延材料超過臨界厚度，易產生位錯。主要採用金屬有機物氣相外延和分子束外延技術製備，方法有應變超晶格緩衝層法、兩步法、漸變組分層法以及循環退火法等。