低溫磷化銦緩衝層，磷化銦/砷化鎵異質外延的方案之一。採用低溫磷化銦作連線磷化銦和砷化鎵失配晶格的緩衝層，不僅能有效釋放砷化鎵襯底與磷化銦外延層間的失配應力，避免選用第13-第15族三元系或四元系材料充當緩衝層而必須的組分精確控制，方案簡單，而且緩衝層可以長得很薄。是磷化銦/砷化鎵異質外延解決“異系異質兼容”矛盾、實現單片光電子集成的最有效途徑之一。
基本介紹
- 中文名：低溫磷化銦緩衝層
- 定義：磷化銦/砷化鎵異質外延的方案
低溫磷化銦緩衝層，磷化銦/砷化鎵異質外延的方案之一。採用低溫磷化銦作連線磷化銦和砷化鎵失配晶格的緩衝層，不僅能有效釋放砷化鎵襯底與磷化銦外延層間的失配應力，避免選用第13-第15族三元系或四元系材料充當緩衝層而必須的組分精確控制，方案簡單，而且緩衝層可以長得很薄。是磷化銦/砷化鎵異質外延解決“異系異質兼容”矛盾、實現單片光電子集成的最有效途徑之一。
低溫磷化銦緩衝層，磷化銦/砷化鎵異質外延的方案之一。採用低溫磷化銦作連線磷化銦和砷化鎵失配晶格的緩衝層，不僅能有效釋放砷化鎵襯底與磷化銦外延層間的失配應力，避免選用第13-第15族三元系或四元系材料充當緩衝層而必須的組分...
Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體是製造太陽能電池原件的主要材料之一，磷化銦是其主要代表之一。InP是微電子和光電子的基礎材料，為直接帶隙，禁頻寬度約1.3 eV，具有電子飽和漂移速度高、耐高溫、搞輻射等特點，在超速、超高頻、低功耗、低噪音器件和電路，特別在光電子器件和光電集成方面占有獨特的優勢。結構 頂層n-InP的...
低溫磷化銦緩衝層，磷化銦/砷化鎵異質外延的方案之一。採用低溫磷化銦作連線磷化銦和砷化鎵失配晶格的緩衝層，不僅能有效釋放砷化鎵襯底與磷化銦外延層間的失配應力，避免選用第13-第15族三元系或四元系材料充當緩衝層而必須的組分精確控制，方案簡單，而且緩衝層可以長得很薄。是磷化銦/砷化鎵異質外延解決“異系異質...