磁隨機存儲器中電流誘導磁化翻轉行為的研究

《磁隨機存儲器中電流誘導磁化翻轉行為的研究》是依託北京科技大學，由姜勇擔任項目負責人的重大研究計畫。

基本介紹

• 中文名：磁隨機存儲器中電流誘導磁化翻轉行為的研究
• 依託單位：北京科技大學
• 項目負責人：姜勇
• 項目類別：重大研究計畫
• 負責人職稱：教授
• 批准號：90607020
• 研究期限：2006-07-01 至 2008-12-31
• 申請代碼：F0122
• 支持經費：30（萬元）

項目摘要

磁隨機存儲器(MRAM)研究中所遇到的難題之一就是如何大幅度提高其信息存儲密度。由於磁性存儲元件尺寸減小到亞微米或納米尺寸會帶來強大的退磁場效應，高存儲密度的MRAM所需要的寫入電流也大幅度的增加，即寫入能耗大大增加，這嚴重阻礙了MRAM存儲密度的提高。近年來的研究表明，運用自旋極化電流所帶來的自旋矩轉換效應翻轉磁性存儲元件的磁矩也可以實現信息存儲。這種存儲方式非常有利於大幅度提高MRAM的存儲密