磁性隨機存取存儲器(magnetic random access memory)是2018年公布的計算機科學技術名詞。
基本介紹
- 中文名:磁性隨機存取存儲器
- 外文名:magnetic random access memory
- 所屬學科:計算機科學技術
- 公布時間:2018年
磁性隨機存取存儲器(magnetic random access memory)是2018年公布的計算機科學技術名詞。
磁性隨機存取存儲器(magnetic random access memory)是2018年公布的計算機科學技術名詞。定義一種通過電流產生磁場來存儲數據的非易失性隨機存儲器。出處《計算機科學技術名詞 》第三版。1...
MRAM是指以磁電阻性質來存儲數據的隨機存儲器,它採用磁化的方向不同所導致的磁電阻不同來記錄0和1,只要外部磁場不改變,磁化的方向就不會變化。不像DR AM為了耍保持數據需電流不斷流動,MRAM不需要刷新的操作。從原理上來看。MRAM的...
磁芯存儲器是隨機存取計算機存儲器的主要形式,存在20年。這種存儲器通常被稱為核心存儲器,或者非正式地稱為核心存儲器。核心使用微小的磁環(環),核心通過執行緒來寫入和讀取信息。 每個核心代表一點信息。 磁芯可以以兩種不同的方式(順...
隨機存取存儲器(英語:Random Access Memory,縮寫:RAM),也叫主存,是與CPU直接交換數據的內部存儲器。它可以隨時讀寫(刷新時除外),而且速度很快,通常作為作業系統或其他正在運行中的程式的臨時數據存儲介質。RAM工作時可以隨時從...
《微波輔助自旋轉移矩磁性隨機存儲器的研究》是依託蘭州大學,由王建波擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 本課題擬針對可以實現更低臨界電流密度的新型微波輔助自旋轉移矩(Spin transfer torque)磁性隨機存儲器(MRAM)進行研究,探索構成...
磁阻式隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory,MRAM),是一種非揮發性記憶體技術,從1990年代開始發展。這個技術的擁護者認為,這個技術速度接近SRAM,具有快閃存儲器的非揮發性,容量密度及使用壽命不輸DRAM,平均能耗遠低於...
電腦存儲器種類 隨機存取存儲器 隨機存取存儲器或稱讀寫存儲器,需要暫時存儲的信息從微處理機送到讀寫存儲器(RAM)。因為感測器輸入的信息隨工作狀態不同而經常變化,所以存儲在RAM中的這類信息容易發生變化(圖1)。微處理機可把運算...
在計算機科學中,隨機存取(有時亦稱直接訪問)代表同一時間訪問一組序列中的一個隨意組件。隨機存取設備是指同一時間訪問設備中任一物理記錄。隨機存取設備的最大特點就是隨機存取,常見的隨機存取設備有磁碟、光碟。磁碟存儲器 磁碟存儲器...
★ 按存儲介質分 半導體存儲器:用半導體器件組成的存儲器。磁表面存儲器:用磁性材料做成的存儲器。★ 按存儲方式分 隨機存儲器:任何存儲單元的內容都能被隨機存取,且存取時間和存儲單元的物理位置無關。順序存儲器:只能按某種順序來...
磁芯存儲器是一種隨機存取存儲器(Random Access Memory),在計算機中可擔任主存的角色。比起真空管而言,磁芯存儲器省電、也沒有真空管的壽命問題。當計算機進入半導體時代後,仍然有一段相當的時間,磁芯存儲器持續擔任主存的角色。又...
根據存儲材料的性能及使用方法的不同,存儲器有幾種不同的分類方法。1.按存儲介質分類 半導體存儲器:用半導體器件組成的存儲器。磁表面存儲器:用磁性材料做成的存儲器。2.按存儲方式分類 隨機存儲器:任何存儲單元的內容都能被隨機...
鐵電存儲器(FRAM,ferroelectric RAM)是一種隨機存取存儲器,它將動態隨機存取存儲器(DRAM)的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關掉後保留數據能力(就像其他穩定的存儲設備一樣,如唯讀存儲器和快閃記憶體...
形成較大的電流——開通狀態;當鐵磁體2的磁化方向與鐵磁體1的相反時,則自旋極化了的電子的隧穿效應減弱,通過的電流很小——關斷狀態。這就實現了電流的“通”和“斷”兩種狀態,這也就是磁性隨機存取存儲器(MRAM)的器件基礎。
傳統的非揮發性存儲器主要有可擦寫可程式唯讀存儲器(EPROM)、快閃記憶體(Flash)、電可擦可程式唯讀存儲器(EEPROM)等。近些年,隨著科學技術的發展,一些新型的非揮發性存儲器也開始嶄露頭角,其中包括磁性隨機存儲器(MRAM)、鐵電存儲器...
磁芯存儲器是一種隨機存取存儲器(Random Access Memory),在計算機中可擔任主存的角色。比起真空管而言,磁芯存儲器省電、也沒有真空管的壽命問題。當計算機進入半導體時代後,仍然有一段相當的時間,磁芯存儲器持續擔任主存的角色。又...
磁表面存儲器的優點為存儲容量大、單位價格低、記錄介質可以重複使用、記錄信息可以長期保存而不丟失,甚至可以脫機存檔、非破壞性讀出,讀出時不需要再生信息。當然,磁表面存儲器也有缺點,主要是存取速度較慢,機械結構複雜,對工作環境...
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性的磁性隨機存儲器,它利用磁電阻效應來存儲數據。與傳統的半導體隨機存取存儲器(RAM)不同,MRAM使用磁性隧道結(MTJ)作為存儲單元,通過改變磁化方向來記錄二進制數據。背景 ...
磁性隨機存儲器(MRAM)從原理上講,MRAM的設計是非常誘人的,它通過控制鐵磁體中的電子旋轉方向來達到改變讀取電流大小的目的,從而使其具備二進制數據存儲能力。理論上來說,鐵磁體是永久不會失效的,因此它的寫入次數也是無限的。在MRAM...
隨機存取存儲器 隨機存取存儲器(英語:RandomAccessMemory,縮寫:RAM),也叫主存,是與CPU直接交換數據的內部存儲器。它可以隨時讀寫(刷新時除外,見下文),而且速度很快,通常作為作業系統或其他正在運行中的程式的臨時數據存儲介質。...
STT-MRAM是通過自旋電流實現信息寫入的一種新型非易失性磁隨機存儲器,是磁性存儲器MRAM 的二代產品。STT-MRAM存儲單元的核心仍然是一個MTJ,由兩層不同厚度的鐵磁層及一層幾個納米厚的非磁性隔離層組成,它是通過自旋電流實現信息...
研究員 William Goddard 和 John Lynott 設計出了通過燃燒壓縮空氣而懸浮於磁碟上磁臂。據聖何塞實驗室的一位高級工程師說:“其確定了我們能夠做到之後,對研製可行的隨機存取存儲器,我們能夠看到一個相對清晰的前景。”由於第一個磁碟...
將自旋屬性引入半導體器件中,用電子電荷和自旋共同作為信息的載體,稱為電子自旋器件,已研製成功的自旋電子器件包括巨磁電阻、自旋閥、磁隧道結和磁性隨機存取存儲器。器件簡介 電子除了具有電荷的屬性外,還具有內稟自旋角動量,在外磁場...
磁荷隨機存儲器 兩家公司都認為,MRAM不僅將是快閃記憶體的理想替代品,也是DRAM與SRAM的強有力競爭者。今年六月,英飛凌已將自己的第一款產品投放市場。與此同時,Freescale也正在加緊研發,力爭推出4M bit晶片。但是,一些評論者擔心MRAM是否能...
存儲設備 存儲設備是用於儲存信息的設備或設備。通常是將信息數位化後再以利用電、磁或光學等方式的媒體加以存儲。常見的存儲設備(計算機數據存貯器)有:利用電能方式存儲信息的設備如:各式存儲器,如各式隨機存取存儲器(RAM)、唯讀...
更進一步,因為是電線格線,存儲陣列的任何部分都能訪問,也就是說,不同的數據可以存儲在電線網的不同位置,並且閱讀所在位置的一束比特就能立即存取。這稱為隨機存取存儲器(RAM),它是互動式計算的革新概念。福雷斯特把這些專利轉讓...