磁性隧道二極體

磁性隧道(結)二極體(Magnetic Tunnel Junction diode)是一種綜合利用電子的自旋特性和電荷特性的一種自旋-電子器件。其結構是由兩層鐵磁性金屬(1和2)夾一層較薄(能隧道穿透)的非磁性絕緣體而構成。

基本介紹

  • 中文名:磁性隧道二極體
  • 外文名:Magnetic Tunnel Junction diode
  • 類型:電子器件
  • 結構:磁性金屬夾一層非磁性絕緣體
在工作時,鐵磁體1使流入的電子的自旋極化,當鐵磁體2的磁化方向與鐵磁體1的相同時, 則自旋極化了的電子即通過隧穿效應而到達鐵磁體2,形成較大的電流——開通狀態;當鐵磁體2的磁化方向與鐵磁體1的相反時,則自旋極化了的電子的隧穿效應減弱,通過的電流很小——關斷狀態。這就實現了電流的“通”和“斷”兩種狀態,這也就是磁性隨機存取存儲器(MRAM)的器件基礎。

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